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如何使用 MOS 管控制达到电源缓启动的目的 在电信工业和微波电路设计领域， 普遍使用 MOS 管控制冲击电流的方达到电 流缓启动的目的。 MOS 管有导通阻抗 Rds_on 低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器 件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透 MOS 管的相关开关特性后 才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从 MOSFET 的开通过程进行叙述： 尽管 MOSFET 在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子 工程师并没有十分清楚的理解 MOSFET 开关过程， 以及 MOSFET 在开关过程中所处的状 态一般来说，电子工程师通常基于栅极电荷理解 MOSFET 的开通的过程，如图 1 所示此 图在 MOSFET 数据表中可以查到 图 1 AOT460 栅极电荷特性 MOSFET 的 D 和 S 极加电压为 VDD ，当驱动开通脉冲加到 MOSFET 的 G 和 S 极时，输 入电容 Ciss 充电，G 和 S 极电压 Vgs 线性上升并到达门槛电压 VGS(th) ，Vgs 上升到 VGS(th) 之前漏极电流 Id≈0A ，没有漏极电流流过， Vds 的电压保持 VDD 不变。 当 Vgs 到达 VGS(th) 时，漏极开始流过电流 Id ，然后 Vgs 继续上升， Id 也逐渐上升， Vds 仍然保持 VDD 当 Vgs 到达米勒平台电压 VGS(pl) 时，Id 也上升到负载电流最大值 ID ，Vds 的电压开始从 VDD 下降。 米勒平台期间， Id 电流维持 ID ，Vds 电压不断降低。 米勒平台结束时刻， Id 电流仍然维持 ID ，Vds 电压降低到一个较低的值米勒平台结束后， Id 电流仍然维持 ID ，Vds 电压继续降低，但此时降低的斜率很小， 因此降低的幅度也很小， 最后稳定在 Vds=Id ×Rds(on)因此通常可以认为米勒平台结束后 MOSFET 基本上已经导 通。 对于上述的过程，理解难点在于为什么在米勒平台区， Vgs 的电压恒定？驱动电路仍然对 栅极提供驱动电流， 仍然对栅极电容充电，为什么栅极的电压不上升？而且栅极电荷特性 对于形象的理解 MOSFET 的开通过程并不直观因此，下面将基于漏极导通特性理解 MOSFET 开通过程。 MOSFET 的漏极导通特性与开关过程。 MOSFET 的漏极导通特性如图 2 所示 MOSFET 与三极管一样， 当 MOSFET 应用于放大电 路时，通常要使用此曲线研究其放大特性只是三极管使用的基极电流、 集电极电流和放大 倍数，而 MOSFET 使用栅极电压、漏极电流和跨导。 图 2 AOT460 的漏极导通特性 三极管有三个工作区：截止区、放大区和饱和区， MOSFET 对应是关断区、恒流区和可变 电阻区注意： MOSFET 恒流区有时也称饱和区或放大区当驱动开通脉冲加到 MOSFET 的 G 和 S 极时， Vgs 的电压逐渐升高时， MOSFET 的开通轨迹 A-B-C-D 如图 3 中的路线所 示 图 3 AOT460 的开通轨迹 开通前， MOSFET 起始工作点位于图 3 的右下角 A 点，AOT460 的 VDD 电压为 48V ，Vgs 的电压逐渐升高， Id 电流为 0，Vgs 的电压达到 VGS(th) ，Id 电流从 0 开始逐渐增大 A-B 就是 Vgs 的电压从 VGS(th) 增加到 VGS(pl) 的过程从 A 到 B 点的过程中，可以非常直 观的发现，此过程工作于 MOSFET 的恒流区，也就是