LED生产作业流程非常详细.docVIP

LED生产步骤 LED芯片制造工艺步骤 外延生长基础原理是：在一块加热至合适温度衬底基片（关键有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。现在LED外延片生长技术关键采取有机金属化学气相沉积方法。 　　MOCVD介绍：　　金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔企业提出来一项制备化合物半导体单品薄膜新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一个自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高尖端光电子专用设备，关键用于GaN（氮化镓）系半导体材料外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片制造，也是光电子行业最有发展前途专用设备之一。　　 LED芯片制造工艺步骤：　　外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。　　其实外延片生产制作过程是很复杂，在展完外延片后，下一步就开始对 LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片关键用钻石刀