电子技术基础,单选.pdfVIP

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2020-11-07 发布于天津
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电子技术基础,单选.pdf

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。试题代码题型： -- 分值： -- 难度系数： -- 能力层次： -- 题目内容答案： -- 0101001 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.3 能力层次：识记本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度的关系为 ( ) 。 A. 自由电子浓度大于空穴浓度 B. 自由电子浓度小于空穴浓度 C. 二者相等答： [C] 0101002 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度 ( ) 。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定答： [C] 0101003 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.4 能力层次：识记在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 ( ) 。 A. 温度 B. 材料 C. 掺杂工艺 D. 掺杂浓度答： [C] 0101004 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记在掺杂半导体中，少子的浓度受 ( ) 的影响很大。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 材料答： [A] 0101005 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.3 能力层次：识记当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将 ( ) 。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定答： [A] 0102001 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记硅二极管的完全导通后的管压降约为 ( ) 。 A.0.3V B.0.5V C.0.7V D.1.0V 答： [C] 精选资料，欢迎下载。 0103012 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记晶体管能够放大的外部条件是 ( ) 。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结反偏，集电结反偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 不确定答： [C] 0103013 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记当晶体管工作于饱和状态时，其 ( ) 。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结反偏，集电结反偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 不确定答： [A] 0103014 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记对于硅晶体管来说其死区电压约为 ( ) 。 A.0.1V B.0.5V C.0.7V D. 不确定答： [B] 0103015 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记晶体管的导通压降 | U BE | 约为。 A 0.1V B 0.7V C 0.5V D 不确定答： [B] 0103016 题型： 01 分值： 2.0 难度系数： 0.5 能力层次：识记测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA , 则该管的β为 ( ) 。 A.40 B