电子线路第四版线性部分复习资料.pdfVIP

电子线路第四版线性部分复习资料 申明：本复习资料仅作为考试参考， 不代表百分百会考本资料上 的内容。 一、选择填空题 1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 3、N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 4、P 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 5、PN 结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。 除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 6、PN 结的伏安特性方程式： )1(T S -=V V e I I 正偏时： T S V V e I I ≈ 反偏时：S I I - ≈ 其中：热电压 q kT V =T ≈26mV （室温）；温度每升高 10℃， Is 约增加一倍。 7、硅 PN 结： VD （on ）=0.7V 锗 PN 结： VD （on ）=0.3V 8、PN 结的击穿特性：热击穿（二 极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。 9、PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 10、三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结 面积大。 11、三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 12、三极管工作在放大模式下： 对 NPN 管 各 极 电 位 间 要 求 ： Vevbvc p= data-filtered=filtered 对 PNP管各极电位间要求： VeVbVc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为 U1=10V，U2=3V， U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其 B C E 极。 解： 电压值都为正， 可判断为 NPN管；假设三极管工作在放大状 态，根据电位间要求： Vevbvc ，可判断u1=10v 为 c 极电压， p= data-filtered=filtered U2-U3=0.7V ，可判断 U2=3V为 B极电压； U3=2.3V 为 E 极电压； 且 UCE=10-2.3=7.7V0.3V, 由此可判断此三极管为 NPN型三极 管，且工作在放大状态，假设成立。 13、三极管静态工作点： IBQ、TCQ、VCEQ 14、公式： 1 ≤ ≈ = E c E cn I I I I α E C I I α ≈ ααβ -=1 ββ α+=1 B CEOB CBOB C I I I I I I ββββ≈ +=++=）（1 B E I I )1( β+= 15、三极管的三种组态： 16、混合Π型小信号电路模型： CQQ E E B B E Q B E B 26)1()1(I r i v i i i v r e e b β β+=+=?? ? ?? =?? = rce 三极管输出电阻，数值较大。 RLrce 时，常忽略。 V A 为厄尔利电压。题目中若给出 V A，需计算 rce ，若没有给 出，忽略 rce 。 17、相关例题见第二章 PPT 34 36 37 38 41 43 页。 18、结型场效应管的特性小结： 19、金属 - 氧化物 - 半导体场效应管： 20、增强型 MOS管特性小结： 21、MOSFET的特性曲线： 22、放大器性能的主要指标有：输入电阻