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半导体物理实验指导书电子与计算机科学技术学院电子科学与技术系实验一结构特性测试实验目的熟悉的基本功能和使用方法掌握型或型半导体吉构的特性及其测试方法掌握利用高频特性曲线得出二氧化硅层厚度及衬底掺杂浓度的方法实验器材台测试台包括样品台探针等元器件等导线若干三实验说明学会使用使用探针时注意力度用力过大会损坏芯片用力过小会引起接触不良四实验内容和步骤实验内容测量吉构高低特性确定二氧化硅层厚度确定衬底掺杂浓度实验步骤在固定栅压上加一个小信号缓慢的改变栅压从负值变到正值测出特性从高低频的特性曲线上得出和从
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半导体物理实验 指导书 电子与计算机科学技术学院 电子科学与技术系 2010．12
实验一 MOS结构C— V特性测试
、实验目的
． 熟悉 Agilent 4284A 的基本功能和使用方法。
.掌握P型(或N型)半导体MOS吉构的C-V特性及其测试方法。
.掌握利用高频C-V特性曲线得出二氧化硅层厚度及衬底掺杂浓度的方 法。
、实验器材
．Agilent 4284A 1 台。
2. 测试台，包括样品台，探针等。
.元器件：EFM959M179(A) , 3S
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