电力电子技术发展与趋势.ppt

电力电子技术发展和趋势 * * 硒堆保护 硒堆 若干片硒整流元件组成硒堆。 具有较陡的反向非线性特性，当超过转折电压时，反向 电流增加很快，消耗较大瞬时功率，过电压被限制在硒 堆的反向击穿电压。 每片硒片的额定电压有效值一般为20~30V。 优点：能吸收较大的浪涌能量; 缺点：长期不用反向电阻会下降。 初次使用时，必须先加50%额定电压10min，再 加额定电压2h，才能恢复其原有的反向伏安特性。 电力电子技术发展和趋势 * * 硒堆：正向为二极管特性，使用时将两组硒堆反向对接，使双向具有稳压管特性。 电力电子技术发展和趋势 * * 压敏电阻 压敏电阻具有近似稳压管的伏安特性，可把浪涌电压限制在电力电子器件允许的电压范围。 正常工作时漏电流很小，故损耗小；当过压时，可通过高达数千安的放电电流IY，因此抑制过压的能力强。 压敏电阻对浪涌电压反应快，而且体积小，是一种较好的过压保护器件；主要缺点是持续平均功率很小，如正常工作电压超过它的额定值，则在很短时间内就会烧毁。 压敏电阻是一种金属氧化物的非线性电阻，具有正、反两个方向相同但很陡的伏安特性，如右图所示。 电力电子技术发展和趋势 * * 图3-28 压敏电阻的几种接法 由于压敏电阻的正、反向特性对称，因此单相电路只需1个，三相电路用3个，连接成Y形或?形，如下图所示。 电力电子技术发展和趋势 * * 压敏电阻的主要参数： 额定电压U1mA：漏电流为1mA时的电压值； 残压比：UY/U1mA，其中UY为放电电流达到规定值IY时的电压； 通流容量：在规定的波形（冲击电流前沿10?s，持续时间20?s）下允许通过的浪涌电流。 压敏电阻的选用方法： 额定电压：U1mA?(1.05~1.1)?工作电压峰值/(0.8~0.9) UY：UY被保护元件的额定电压 通流容量：实际的浪涌电流。 压敏电阻只能用做过压保护，不能用做du/dt保护。 电力电子技术发展和趋势 * * 3.6.3 晶闸管直流侧过电压及其保护 直流侧保护可采用与交流侧保护相同的方法， 阻容保护和非线性元件保护。 在晶闸管两端并联阻容保护电路，抑制晶闸管 关断过电压。 直流侧阻容及压敏电阻保护电路 电力电子技术发展和趋势 * * 图3-29 直流侧的过电压保护电路 电力电子技术发展和趋势 * * C R 利用电容吸收过电压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中, 然后释放到电阻中消耗掉。 硒碓保护 (硒整流片) C R 晶闸管元件 的阻容保护 电力电子技术发展和趋势 * * 避雷器击穿对地放电，防止雷电过电压 设置Co，抑制操作开关S通、断时过电压 线路上并接RC过电压缓冲器 线路上并接压敏电阻RV 用缓冲器抑制开关管通、断时的过电压 电力电子技术发展和趋势 * * 3.7 晶闸管的过电流保护与电压、电流上升率的限制 外因：负载过载、负载短路、电源过高或过低、 逆变失败等。 1. 过电流的产生 内因：晶闸管损坏、触发电路故障等。 当流过晶闸管的电流大大超过其正常工作电流时， 称为过电流。 电力电子技术发展和趋势 * * 晶闸管在规定的冷却条件下， 通过两倍通态平均电流时，可经受的时间为0.5s； 通过三倍通态平均电流时，可经受的时间为60ms； 通过六倍通态平均电流时，可经受的时间为20ms； 通过二十倍通态平均电流时，可经受的时间为10ms。 浪涌电流ITSM 电力电子技术发展和趋势 * * 串接交流进线电抗或采用漏抗较大的整流变压器 过电流继电器保护 限流与脉冲移相保护 快速熔断器保护 直流快速开关保护 2. 保护措施 电力电子技术发展和趋势 * * 交流进线电抗器L 在交流进线中串联电抗器L： 利用电抗限制短路电流， 缺点：正常工作时有较大交流压降损失。 电力电子技术发展和趋势 * * 过电流继电器 过电流继电器可装在交流侧或直流侧，在发生电流故障时动作，使交流断路器或直流接触器跳闸，实现保护。 缺点：动作速度较慢，几百毫秒。 电力电子技术发展和趋势 * * 限流与脉冲移相保护 电力电子技术发展和趋势 * * 保护特点： 动作速度比上述任何一种过流保护电器都快。 常用于容易发生短路的设备如逆变器中。但内部发生短路时还得靠快熔来保护。 在交流侧设置电流检测装置，利用过电流信号去控制触 发器，使触发脉冲快速后移（即控制角增大）或瞬时停 止使晶闸管关断，从而抑制了过电流。 电力电子技术发展和趋势 *