电感耦合等离子体质谱仪.docxVIP

电感耦合等离子体质谱仪 仪器总体要求 *1.1 电感耦合等离子体质谱仪要求为 “三重四极杆串联质谱仪或 “双重四级杆 +单八级杆 ”的串联四级 杆质谱仪，而非普通的单极四极杆质谱仪； *1.2 第一重四极杆 -四级杆离子选择偏转器， 可以实现将所需的特定质荷比的离子依次进入第二重四 极杆的反应池内； 1.3 第二重四极杆 - 通用池，通过反应气与待分析离子相同质荷比的干扰离子反应产生新的不同质荷比的离子，通过四极杆质量扫描过滤，彻底消除干扰物和反应副产物，只允许待分析的离子进入第三重四极杆； 1.4 第三重四极杆 -质量分析器，将待分析的单原子离子依次分开进行检测； 1.5 具有彩色等离子体观测窗，无需打开仪器，可对锥、炬管和负载线圈进行观测，使等离子体采样深度的优化和有机物的分析简单、方便。同时可实时监测锥孔及喷射管孔样品沉积情况，便于维护和清洗； 1.6 电感耦合等离子体质谱仪具有与高效液相色谱技术联机进行元素价态、结合形态的分析能力， 具有专业的形态分析软件； 1.7 仪器要求能进行样品定性、半定量、定量、同位素比、同位素稀释、单颗粒分析、单细胞分析。 1.8 至少能用于硫和磷同位素标记的定量研究； 1.9 能够分析纳米材料的元素组成与浓度、尺寸及其尺寸分布。 仪器工作环境 2.1 工作环境温度： 15-30℃。 2.2 工作环境湿度： ＜ 80% （无冷凝）。 2.3 电源：单相 200-240V ，50 Hz 。 技术要求 3.1 仪器硬件 3.1.1 雾化器：高效石英或 PFA 同心雾化器； 3.1.2 雾化室：小体积石英旋流雾化室； *3.1.3 全基体进样系统控制气路： 可实现样品气体稀释，稀释倍数大于 100 倍；可通入氧气，实现 有机样品的直接进样分析；可通入甲烷气，实现难电离元素，如砷、硒等元素的超痕量分析； 3.1.4 等离子体可视系统：可以从实际观测窗中实时监控等离子体状态； *3.1.5 接口设计：为实现对离子射束紧凑控制，接口至少采用三级锥设计，应至少包括一个采样锥、 一个截取锥和一个超级锥或嵌片。锥接口设计要求具高灵敏度、高复杂基体耐受和低干扰水平 的大锥口设计。采样锥口径要求必须 ≥1.0mm，所有截取锥或超级锥要求必须 ≥075mm.，从而保 证长期分析高基体、高盐样品的稳定性，并延长了锥体的使用寿命。投标设备如在接口设计上 1 采用简单两锥设计时，必须额外提供样品锥及截取锥各 3 套备用； *3.1.6 仪器主机 ICP 部分配置质量流量计：使用不少于 7 个高精度气体质量流量控制器，控制包含 3 路离子源气（等离子体气、辅助气、雾化气） 、 1 路全基体进样系统控制气和至少 3 路碰撞反 应气（碰撞气，氧化反应气，还原反应气） 。提供投标型号仪器实物图标注证明； 3.1.7 离子源：为保证获得更高的灵敏度，氧化物水平更低，需要采用高频率自激式全固态双路射频 发生器，要求频率 27MHz 以上，频率稳定性 ±0.01%，采用变频技术快速匹配，适用乙腈等有 机试剂直接进样； 3.1.8 线圈：表面经过抗腐蚀处理的特种合金材质线圈，无需内部通入气体或液体冷却，保证超低射 频能量损耗的同时具有超长的使用寿命。投标设备如采用需通气体或液体冷却的线圈时必须额 外提供 3 套线圈备用； 3.1.9 采用虚拟接地的、 不额外依靠外部物理接地的消除锥口二次电弧放电技术。 如投标设备采用屏 蔽炬系统消除二次放电技术的， 为满足仪器使用寿命期间的消耗， 需至少额外提供 10 套备用屏 蔽炬； 3.1.10 真空系统：要求从大气压开始抽至可工作的真空度的时间小于 10 分钟。四级及以上真空；滑 动阀关闭后，静态真空度维持在＜ 6×10-8 mbar； *3.1.11 离子提取：采用四极杆离子提取系统，可实现离子质量筛选功能。同时采用正交 90 度离子 偏转设计，彻底分离中性离子和光子，避免分析腔内样品沉积，无需对提取透镜、碰撞反应池、 质量分析器的清洗和维护； 3.1.12 四极杆材料：陶瓷镀金材料或特殊合金四极杆，保证四极杆的热稳定性； 3.1.13 离子提取系统、 碰撞反应池系统和四极杆质量分析器均为完全免拆卸清洗维护， 且非消耗品； 3.1.14 脉冲模拟双模式同时型电子倍增器，必须可以在一次进样中，同时完成扫描和跳峰分析，同 时可以自动在脉冲和模拟模式之间实现切换； 3.1.15 等离子体矩位调整：由计算机控制步进电机进行三维（ X 、 Y 、 Z 方向）位置控制，参数存储 于计算机软件中； *3.1.16 质谱范围： 1-280amu，质量采集速度不低于 100,000 数据点 /秒； 3.1.17 具有高分辨和标准分辨率模式，可以对不同元素进行不同分辨率的设定，要求