(完整版)2任务2半导体二极管的识别与检测分析.docxVIP

学习情境一 常用半导体器件的识别与检测 任务二 半导体二极管的识别与检测 一、 任务目的 了解半导体二极管导电特性； 了解半导体二极管的种类； 3．掌握半导体二极管的识别与检测。 二、任务的要求及技术指标 了解本征半导体与杂质半导体的区别； 2．掌握 PN 结的形成与单向导电性； 了解半导体二极管的结构类型和型号。 4．掌握半导体二极管的识别与检测。 三、半导体导电特性介绍 自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、和半导体。 导体：导电性能良好的物质。如金、银铜等。 绝缘体：几乎不导电的物质。如陶瓷、橡胶、玻璃等。 图 1-10 共价键示意图 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗。 半导体一般分为本征半导体和杂质半导体两种类型。 1．本征半导体 常用的半导体材料有硅（ Si）和锗 (Ge) 。这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体。 图 1-10 所示分别为硅（锗）的原子结构示意图及硅（锗）原子在晶体中的共价键排 列。 如果共价键中的价电子受热激发获得足够能量，则可摆脱共价键的束缚而成为自由电 子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位， 这个空位称为空穴。 空穴带正电。 杂质半导体 本征半导体实际使用价值不大， 但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素， 就形 成 N 型和 P 型半导体。 1） N型半导体 在本征半导体（以硅为例）中掺入少量的 5 价元素，如磷（ P）、砷（ As）等。磷原子的 最外层有 5 个价电子，其中 4 个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结 构，多余的电子很容易受激发成为自由电子。这种掺入 5 价元素的半导体称为 N型半导体， 如图 1-11 所示。 N型半导体主要靠自由电子导电。 图 1-11 N型半导体原理图 （ 2）P 型半导体 在本征半导体（以硅为例）中掺入三价元素如硼（ B），硼原子最外层的 3 个价电子工和 相邻的 3 个硅原子形成共价键后，就留下一下空穴，空穴数量增多，自由电子则相对很少， 这种掺入 3 价元素的半导体称为 P 型半导体，如图 1-12 所示。 图 1-12 P 型半导体原理图 注意：不论是 N型半导体还是 P 型半导体都是中性，对外不显电性。 当 P 型半导体与 N 型半导体接触以后， 由于交界两侧半导体类型不同， 存在电子和空穴的浓度差。这样， P 区的空穴向 N 区扩散， N 区的电子向 P 区扩散。这样，在 P 区和 N 区的 接触面就产生正、负离子层。这离子层就称为 PN结。如图 1-13 所示。 图 1-13 PN 结形成示意图 3.PN 结的特性 (1)PN 结的正向导通特性 给 PN结加正向电压，即 P 区接正电源， N区接负电源，此时称 PN结为正向偏置，如图 1-14 所示。 这时 PN结外电场与内电场方向相反，外加电场抵消内电场使空间电荷区变薄，有利于 多数载运动，形成正向电流，外加电场越强，正向电流越大，这意味 PN结正向电阻变小。 图 1-14 PN 结正向偏置示意图 图 1-15 PN 结反向偏置示意图 (2)PN  结的反向截止特性 给 PN 结加反向电压，即电源正极接 N 区，负极接 P 区，称 PN 结反向偏置，如图 1-15 所示。这时外加电场与内电场方向相同，使内电场的作用增强， PN 结变厚，多数载流子运 动难于进行，有助于少数载流子运动，所以电流很少，接近于零，即 PN节反向电阻很大。 综上所述： PN结具有单向导电性，正向偏置时， PN结导通，反向偏置时， PN结载止。 四、半导体二极管的结构、类型与符号介绍 一个 PN结和加上相应的引出线，然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最 简单的二极管。 二极管按所用材料不同分为锗管和硅管。 接在二极管 P区引出线为阳极， 接 在 N 区引出线为阴极。如图 1-16 所示。 图 1-16 二极管结构图 图 1-17 二极管图形符号及外观 二极管有许多类型： 从工艺上分为点接触型和面接触型； 按用途分有整流管、 检波二极 管、稳压二极管和开关二极管，二极管的外形也是多种多样，如图 1-17 。 五、二极管检测 普通二极管的识别与检测 1）极性的判别 将万用表置于 R×100 档或 R× 1k 档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向 电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻） 。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 （ 2）单向导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为 1kΩ左右，反向电阻值为 300 左右。硅材料二极管的电阻值为 5 k Ω左右，反向电阻值为∞（无