材料的电导说课材料.ppt

材料的电导;2、载流子;3、霍尔效应Hall effect;霍尔系数RH=μ*ρ; 霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向 移动的结果，离子的质量比电子大得多，磁场作用力 不足以使它产生横向位移，因而纯离子电导不呈现霍 尔效应。;4、电解效应（离子电导特征）;5.迁移率和电导率的一般表达式;设单位截面积为 ，在单位体积 内载流子数为 ，每一载流子的电荷量为 ，则单位体积内参加导电的自由电荷为 。;第二节 离子电导;* ;2)肖特基空位浓度;3）讨论;2．杂质电导;杂质导电与本征导电的比较;* ; 根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的 次数为 ;2.有外加电场时; 设电场E在δ／2距离上(δ为相邻半稳定位置间的距离) 造成的位势差ΔU=F·δ／2=qE·δ／2。则 ; 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数 应该为 ;3.讨论;故载流子沿电流方向的迁移率为 ;四．离子电导率; 以弗仑克尔缺陷引起的电导率也类似。 ;2）当存在杂质离子时;; 3）当只有一种载流子时 ; 4）有多种载流子时 ;2．扩散与离子电导; (2)间隙扩散 图 (b) ;2)能斯脱一爱因斯坦方程;根据Boltzmann（波尔兹曼）分布规律，建立下式;σ=nqμ;五．影响离子电导率的因素;2．晶体结构;* ;3．晶格缺陷;而影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是：; 固体电解质的总电导率为离子电导率和电子电导率之和。 ; 迁移数的定义：指定种类的载流子所运载的电流与总电 流之比。 ;* ;第三节 电子电导;* ;空带：所属各能级上没电子的能带。因此也无导电性。;导带：最靠近价带而能量较高的能带。;禁带：又称能隙。;二、电子迁移率;可以求出自由电子的迁移率：;三.载流子浓度;EC：导带底能量；;在绝缘体中：价带和导带隔着一个宽的禁带Eg，电子由 价带到导带需要外界供给能量，使电子激发，实现电子 由价带到导带的跃迁，因而通常导带中导电电子浓度很 小。一般绝缘体禁带宽度约为6-12ev;半导体中：半导体和绝缘体有相类似的能带结构，只是 半导体的禁带较窄(Eg小)，电子跃迁比较容易。半导体 禁带宽度小于2ev。;2．本征半导体中的载流子浓度; 这种导带中的电子导电和价带中???空穴导电同时存在， 称为本征电导。这类载流子只由半导体晶格本身提供， 所以叫本征半导体。;2.杂质半导体中的载流子浓度;在半导体中，施主通常是杂质原子或点缺陷。此种杂质原 子与本征原子相比，含有较多的价电子。为使电子脱离施 主进入导带，需要一定的能量，此能量即为电离能。在能 级图中，施主能级在导带底部下方的距离大小（或深浅） 即为电离能的大小。;例如在四价的半导体硅单晶中掺如五价的杂质砷后，多 出一个电子，这个“多余”的电子能级离导带很近（图）， 只差E=0.05eV，大约为硅的禁带宽度的5%，因此它比 满带中的电子容易激发得多。;2) P型半导体;例如在四价的半导体硅单晶中掺如三价的杂质硼后，这 样它和硅形成共价键就少了一个电子，或者说出现了一 个空位能级。此能级距价带很近，只差E=0.045eV，如 图所示。显然价带中的电子激发到空穴能级上比越过整 个禁带(1.1ev)到导带要容易得多。;四、电子电导率;讨论;由实验测得一些本征半导体的电阻率与温度关系如图 所示。;3. p型半导体;五、影响电子电导的因素;* ;* ;* ;2．杂质及缺陷的影响;例2：添加微量Nb 5+的BaTiO3中，置换固溶的结果同样 可以形成n型半导体。其反应式如下; 2)组分缺陷;* ; 如果在一定温度下，阳离子空位全部电离成VM′′，根据 质量作用定律，得;V-心;* ;F—心;（3）间隙离子; 间隙离子缺陷在能带间隙内，形成施主中心，如图 (b) 所示，其施主能级距导带底部很近，例如Zni×的能级 距导带底部约为 0.05eV，Zni· 的能级距导带底部约 为2.2eV，因此Zni×较易吸收外界能量而电离。电子 跃迁至导带，从而参与电导，形成n型半导体.;第四节 玻璃态电导;* ;* ;双碱效应的解释;* ;* ;第五节 半导体陶瓷的物理效应;* ;* ;（3）压敏电阻器的种类和制备工艺;以ZnO压敏电阻器为例，为了获得好的压敏特性有一个 重要条件：在空气中(氧化气氛下)烧成，缓慢冷却，使 晶界充分氧化。所得烧结体表面往往覆盖着高电阻氧化 层，因此在被电极前应将此氧化层去除。;主晶相ZnO为n型半导体，体积电阻率为5×10-3- 2.7×10-2Ω·m,而晶界相则是体积电阻率为108Ω·m以上的 高电阻层，因此外加电压几乎都加在晶界层上。;2．PTC效应（正温度系数 Positive Te