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材料的电性能;2.1.1 导电性基本规律及描述参量 相对电导率：IACS% 定义：把国际标准纯软铜（在室温20度，电阻率为0.01724.?mm2/m）的电导率作为100%，其它导体材料的电导率与之相比的百分数即为该导体材料的相对电阻率。 ;第2章 材料的电性能;3. 迁移数tx，也称输运数（transference number) 定义为： ;第2章 材料的电性能;第2章 材料的电性能;2.2 电子类载流导电; 能带理论，两点基本改进: nef 表示单位体积内实际参加热传导的电子数（effect).费米面能级附近参加电传导的电子数 m*为电子的有效质量，考虑晶体点阵对电场作用的结果 ;令：1/l=μ为散射系数; 3. 马西森定律： ;2.2.2 电阻率与温度的关系; 3) 金属熔化时，电阻增高1.5-2倍，金属原子规则排列遭到破坏，增加了对电子散射。 如右图：K，Na正常 但Sb反常，共价键变为金属键 铁磁性金属有时发生反常。 Tc: 居里点 铁磁性金属内d及s壳层电子云相互作用的特点决定的 ;2.2.3 电阻率与压力的关系;2.2.4 冷加工和缺陷对电阻率的影响;机 理： 冷变形-----晶格畸变---增加电子散射几率-----导致电阻率增加 ; 晶格畸变，晶体缺陷导致电阻率增加值为 ;2.2.4 冷加工和缺陷对电阻率的影响;2.2.5 固溶体的电阻率;??:1%(原子百分比）杂质引起的附加电阻率;表铜合金的性能 Properties of copper alloy;2.2.5 固溶体的电阻率;2.2.5 固溶体的电阻率;2.2.5 固溶体的电阻率;2.3 离子类载流导电; 考虑某一间隙离子由于热运动，越过位垒跃迁到邻近间隙位置的情况。根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为 a:与不可逆跳跃相关的适应系数 1.无外加电场时 间隙离子在晶体中各方向的“迁移”次数都相同，宏观上无电荷定向运动，故介质中无电导现象。 2.有外加电场时 由于电场力的作用，晶体中间隙离子的势垒不再对称，如图，对于正离子，受电场力作用，F=qE，F与E同方向，因而正离子顺电场方向“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。; 设电场E在b／2??离上(b为相邻半稳定位置间的距离)造成的位势差 ΔV=F·b／2=qE·b／2=zeEb/2。 则顺电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为 每跃迁一次的距离为b，所以载流子沿电场方向的迁移速度 V 可视为 当电场强度较低时， 当电场强度足够强大时（大于10v/cm）， ; 由于电流密度j为 将v代入有： 将P代入并且令： ;2.3 离子类载流导电;2.3.2 离子电导与扩散： 1）离子导电是离子在电场作用下的扩散现象： (1)空位扩散 以空位扩散, MgO中的空位作为载流子扩散； (2)间隙扩散 是间隙离子作为载流子的直接扩散运动，即从某一个间隙位置扩散到另一个间隙位置。 此外，当间隙离子较大时，如果直接扩散必然要产生较大的晶格畸变。因此，这种扩散很难进行。 一般间隙扩散比空位扩散需要更大的能量。 (3)亚晶格间隙扩散 由于间隙离子较难扩散，在这种情况下，往往产生间隙-亚晶格扩散，即某一间隙离子取代附近的晶格离子，被取代的晶格离子进入晶格间隙，从而产生离子移动。此种扩散运动由于晶格变形小，比较容易产生。AgBr中的Ag+就是这种扩散形式。;2.3 离子类载流导电;;2.3 离子类载流导电;2.3 离子类载流导电;2.4 半导体;2.4 半导体;2.4 半导体; 2.4.2 半导体的电导率（电阻率） 讨论已有的温度的影响。 1）qe与T无关 2）电子与空穴的迁移率