具有超疏水表面硅二氧化硅层次结构薄膜最终.pptVIP

具有超疏水表面的硅/二氧化硅层次 结构薄膜  硅基材料的超疏水表面的制备方法 1制备粗糙微观结构 2.用表面能低的有机物修饰粗糙微观结构表 面  超疏水硅基薄膜 ■1制备方法:液态金属锡作为生长衬底,通过化 相沉积法制备超疏水硅基薄膜结构 2构成:薄膜表面由竖直生长的硅/二氧化硅(Si /SO2)核壳层次结构组成 3影响因素:构成薄膜表面的Si/SO2层次结构 单元的形貌是影响超疏水性能的重要因素 4优势:这种新结构的超疏水性能不依赖于表面 化学修饰。  超疏水表面的主要制备途径 1在具有层次结构的材料表面修饰 表面能相对较低的疏水性化合物 2.在疏水材料表面构建粗糙的微观 结构  用CVD方法合成的具有超疏水表面的硅基薄 膜结构的特点和优势 ■特点:1表面是由竖直生长的Si/SiO 层次结构单元组成。 2每一根层次结构单元都是以单晶硅纳 米线为核。 3以有序站立在硅纳米线核上的辐射状 的致密非晶SO2纳米线为壳。 优势:超疏水性能源自其特殊的Si/ SO2微观层次结构,不依赖于表面化 学修饰。  实验部分 1试剂:一氧化硅粉未(325mesh,99 %),锡粉(99%);氩氢混合气体(体积 匕为95/5):P型100晶向的单晶硅 片(电阻率为0.015);蒸馏水。 2.仪器:真空管式加热炉;扫描电子显 微镜;髙分辨透射电子显微镜 ( HRTEM);Ⅹ射线能谱仪EDX);接 触角测试仪;Ⅹ射线衍射光谱仪(XRD)  超疏水硅基薄膜结构的合成步骤 1将盛有0.5gSO粉未的氧化铝瓷舟放在长 mm, 丙径3 mm 温 位置 温中心两侧122m处分别放置盛有60g 块(2cm-8cm)的陶瓷舟。 式炉抽真空后,通入氩。氢混合气并保持 内压强为3.5×10Pa ■4.管式炉高温中心升温至1350°℃,在此温度下生 90mil 温度降至室温,取 舟,在锡块(生长时的温区为1200600℃ 到土黄色薄膜状产物  锡块作为生长基底的理由 液态锡能够为产物的生长提供一个具有流 动性的生长平台,保证线状硅结构的竖直生 2.金属锡的低饱和蒸汽压较(8.0×103Pa 低熔 沸点(270℃)的特点使得熔化的 液体锡不易挥发,其为稳定的液态衬底 3液态锡衬底在水平方向上具有流动性,且 液锡过底有很好的号热性他得某面 硅层次结构的平稳生  下图a,b分别为所制备的薄膜表面的俯视和侧视SEM照片  下图c为构成薄膜表面的单根线的TEM照片,图2c中的插图(左上)为位 于单根线状结构壳层的辐射状纳米线(白色虚线圆圈处组成成分 EDX谱图,EDX结果表明壳层纳米线由S和O两种元素组成(谱图中Cu 元素来自于负载样品的铜网),其中OSi原子个数 壳层纳米线 的选区 射(SAED)(图2c右下插图)表明该纳米线为非晶SiO2 nun=3258