半导体激光器参数3总结.pptVIP

上次课内容 热相关基础知识 单元器件的散热结构 ■阵列器件的散热结构  运用领域对半导体激光的需求 北京工业大学 输出功率:1000W 光束质量 12mmemrad Limit of to days diode laser 100 1000 德国 Laserline max output power 3.000W 4000W 5000W beam qua mrrrmrad 40 mm mrad laser light cable 400pm 00 um, NA 0.2 or NA0.1 600m,NA0.1 NA O2  本节课主要内容 高功率、高光束质量半导体激光系统的集 成。 百  光束质量的衡量参数 M际光束的光腰度远场发角D3BP_ 理想Gas.)束的光腰宽度x远场发散角 入/π 人/了 BPP: beam -parameter product 光束质量表征光束的可汇聚程度 光参积是一个不变量  非光纤耦合输出系统 ■激光头工作距离 100mm 对光束质量提出要求  光纤耦合输出系统 输入光束的光斑半径要小于光纤芯径 d. d core 1发散角(全角)要小于光纤数值孔径的反 正弦的2倍 8in 2arcsin(NA )NA=0.22 025.4  半导体激光器的光束质量 01-0 12m 阵列和单元器件快轴方向上光束质量一致 ■阵列慢轴方向上光束质量是多个单元器件的叠加。  快轴方向光场分布 0.00z40bD.81.01.21.41.61.靠 Aet iw1ay。thin唧,d 并非有源区越薄,发散角越大,衍射极限矛盾 大功率半导体激光器快轴方向NA06  快轴的准直 12e bar NA=0.77 Ray-tracing beam NAEnsine °高数值孔径要求使用高1 折射率材料 °难点:非球面微柱透镜 ATheoretical lim 的加工 D vergence (full angle inad  快轴的准直 =2+√一分+x fn b2=f2生 椭球面方程 n2+n1