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射频磁控溅射法制备Zn0薄膜 研究衬底温度对其结构和发光特性的影响  ZnO半导体材料的简介 znO薄膜的制备方法 zno薄膜的表征  ZnO半导体材料的简介 、Zn0结构和性质 zn0是一种面向21世纪的新型高功能精细无机产品, 在自然界中储量丰富,具有较高的化学、机械稳定性 以及优异的光学、电学特性,是一种常见的金属氧化 物。粉末形态的zn0俗称“锌白”,为白色粉末,无臭 无味,无生物毒性,加热后呈浅黄色,密度5.676g/cm3, 熔点为1975℃,微溶于水,溶于酸生成相应的盐。Zn0 是一种自激活n型半导体材料,具有六角纤锌矿晶体 结构,室温下其直接带隙宽度3.2-3.4eV,晶格常数为 a=0.3249nm,c=0.5207nm  结构 图1znO的晶体结构图 图2znO的晶面图  在纤锌矿Zn0晶体中,锌(Zn)、氧(0)各自 组成一个六角密堆积结构的子格子,这两个子格 子可形成复式格子结构。每个Zn原子和最近邻的 四个0原子构成一个四面体结构,同样,每个0原 子和最近邻的四个Zn原子也构成一个四面体结构。 不过,每个原子周围都不是严格四面体对称的, 在c轴方向上,Zn原子与一个0原子之间的距 离为0.196nm,与其它三个原子之间的距离稍微 小一些。此外,由于Zn和0的电负性差别较大, Zn-0键基本上是极性的。  特性 (1)Zn0具有高达60meV的室温激子束缚能。高 的激子束缚能对于制作室温紫外LED( light emitting diode)和LD( Laser disc)器件极 为有利,可以极大地降低发光器件的阐值并提 高器件的温度稳定性和发光效率。这使得Zn0在 制作高亮度的紫外LED和白光照明方面具有更大 的优势。  (2)具有良好的化学及热稳定性。Zn0的熔点高 达2248K,其化学稳定性的内聚能Ecoh为1.89eV。 高的化学和热稳定性可以使器件在室温甚至更高 度运转时不至于造成缺陷的大量增殖,延长其 使用寿命 (3)同GN相比,Zn0具有更低的外延生长温度 Zn0的生长温度一般为300600℃,而GaN的生 长温度则。相对较低的生长温度 可以减小热失配缺陷,降低异质外延层间的互扩 散,有利于形成陡峭的异质结。  二、Zn0薄膜的应用 光电显示领域中的透明电极 一太阳能光电转换领域中的异质结 各种压电、压光、电声与声光器件 气敏元件  三、zno薄膜的研究进展 Hang Ju Ko等人利用分子束外延(MBE)方法制备了高 质量的znO薄膜; Zhang等人利用分子束外延方法在A2O3 上制备了ZnO的发光二极管;Su等人利用等离子体协助分 子束外延(PMBE)方法制备了 Zno/ZnMgo单量子阱,结合 理论计算所得在导带和价带中的第一亚带能量分别是 49meV和11meV; Chang等人利用分子束外延生长nZnO 而利用金属有机化学气相沉积p-GaN,发现n-znO/p-GaN 异质结具有发光二极管特性; Gangl等人利用等离子增强的 MO○CVD在A23上制备出了N掺杂p型ZnO薄膜,载流子浓 度范围为1013~1015cm-3,电阻率为101  102Qcm。傅立叶红外光谱和拉曼光谱证实了N已经掺入到 znO中,|V结果显示他们还制备出了ZnO的同质pn结。 Die等人的理论计算预言了Mn掺杂的p型znO的居里温 度高达300K以上,并且有较大的磁化强度:Wng等人利 用等离子激光分子東外延制备出了N掺杂p型ZnO薄膜 1998年Tang等人报道了zηO薄膜的室温紫外受激发射现象, znO薄膜很快成为继ZnSe和GaN之后新的短波长半导体材 料的研究热点。到目前为止,纯znO的研究已经在慢慢的走 向完善与成熟。近年内,利用掺杂对znO进行改性,使其光 学、电学、磁学等特性逐步优化的znO基纳米薄膜材料的硏 究正在进行。在掺杂ZnO的光学改性方面的研究