LED制造工艺流程 .pptxVIP

LED制造工艺流程;;技术路线;衬底制备;;;光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶;曝光;显影并坚膜;去胶;;;RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀;ICP (Induced Coupled Plasma)电感耦合等离子体;外延材料生长;反应原理、反应方程式;外延层结构;外延片检测;外延片;P面工艺;P型接触层蒸发合金;粘结层蒸发;粘结层光刻;薄膜转移;;;去Si衬底 522( HNO3:HF:冰乙酸);;去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长;去边 （2）SiO2掩膜光刻;去边 （3）去边腐蚀;去边 （4）去Pt (P型接触层);去边 （5）去SiO2;;N面工艺;钝化 （1）SiN生长;钝化 （2）SiN光刻;N电极蒸发（Al）;N电极光刻（Al）;芯片点测;划片;芯片分选;手选;;封装;;封装工艺说明;点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和