孙会元固体物理基础教案第六章晶体的结合、晶体缺陷和相图6.6 晶体缺陷.pptVIP

一、 点 缺 陷 本章主要内容： 6.6 晶体缺陷 二、 晶体中的线缺陷---位错 三、 面 缺 陷 6.6 晶体缺陷 相同成分与结构的晶体，有时候其物理性质却大不相同，这主要是由于晶体中存在不同的缺陷所致。 随着半导体电子学的发展，人们对晶体的结构完整性提出了更加苛刻的要求，从而有力地推动了晶体缺陷的研究进展。人们认识缺陷的手段也丰富起来，其中腐蚀(坑)法、位错染色缀饰法、电子显微镜技术、X射线形貌照相术和场致显微镜技术等是人们观测缺陷的常用手段。 腐蚀(坑)法是指对于选定晶面的样品表面进行研磨，抛光处理，再将样品洗净置于适当的腐蚀液中腐蚀一定的时间，清洗后就可以用金相显微镜进行观察或拍照。由于位错、杂质等缺陷所在处的腐蚀速率一般与无缺陷处不同，结果，样品表面缺陷处将出现腐蚀的凹坑或小丘。 位错染色缀饰法是基于杂质原子倾向于在位错附近聚集，故可用特殊的技术(如扩散)使位错带上颜色。如在硅晶体中掺入铜，铜聚集在位错附近，由于铜对红外线不透明而硅透明，用红外显微镜就可以观察。 电子显微镜技术、X射线形貌照相术和场致显微镜技术三者利用的都是直接成像的技术，取决于各自的分辨率。 上述观测结果的获得不仅直接证实了晶体缺陷的存在，而且为理论上研究晶体缺陷的性质提供了可靠模型。目前，关于晶体缺陷的研究正在向广度和深度发展，其范围越来越大，开拓了材料应用的新领域。 晶体缺陷的种类很多，有的与理想点阵结构的偏离有关，有的与局部化学组合的差异有关，也有的与电矩有序(电畴)或磁矩有序(磁畴)排列的偏离有关(相应的偏离称为磁畴壁、布洛赫点、布洛赫线等)。 为了定量的描述物体的有序程度，人们引入了序参量的概念。认为缺陷对应于序参量函数的奇异，它破坏了序参量空间变化的均匀性。从这一角度出发，人们借助拓扑学来描述各种不同的缺陷，称为拓扑缺陷。 我们这里介绍的缺陷主要是指那些与理想点阵结构的偏离有关的缺陷类型。由于偏离的形式不同，一般把缺陷分为三类，即：点缺陷，它的三维都是原子尺度，包括空位、填隙原子、杂质、色心等；线缺陷，主要是位错，包括螺位错和刃位错两种；面缺陷，包括层错、晶界等 一、 点缺陷 晶体中的点缺陷(point defect)是原子尺度的缺陷, 它是定域在格点附近一个或几个晶格常数范围内偏离周期性结构的缺陷, 它是零维缺陷. 点缺陷包括空位、填隙原子、杂质原子、色心、复合体以及各种元激发等. 点缺陷主要有3种： 1. 空位(vacancy)或肖脱基缺陷(Schottky defect) 是晶体内部的空格点。可以认为是由于原子因热涨落脱离格点，跳到晶体表面而产生的。 1. 空位(vacancy)或肖脱基缺陷(Schottky defect) 是晶体内部的空格点。是由于原子因热涨落脱离格点，跳到晶体表面而产生的。 肖特基缺陷 2.填隙原子(interstitial atom) 是位于理想晶体中间隙位置上的原子。晶体内部的原子，也可因热涨落跳进间隙位置，从而产生一个空位和一个填隙原子，这样的一对缺陷常称为弗仑克尔缺陷( Frenkel defect) 弗仑克尔缺陷 3.杂质原子(impurity atom) 是理想晶体中出现的异类原子。可替代原有的原子，处在正确的格点位置上，称为替代杂质(substitutional impurity),或处在间隙位置上，称为填隙杂质(interstitial impurity) 空位 填隙原子 杂质原子 材料制备中的掺杂可以很好地改变原有材料的性质, 使之变为有用的材料. 这类缺陷, 又属于化学缺陷. 由于空位和填隙原子与温度有直接的关系，或者说与原子的热振动有关，因此又称他们为热缺陷。 构成填隙原子的缺陷时，必须使原子挤入晶格的间隙位置，所需的能量要比造成空位的能量大些，所以对于大多数的情形，特别是在温度不太高时，肖特基缺陷存在的可能性大于弗仑克尔缺陷。 点缺陷除了上述3种外，还有所谓的色心和极化子等： 4．色心 使透明晶体产生非该晶体所特有的新的吸收带的晶体的某些结构缺陷叫色心(colour center)。它是能吸收可见光的晶体缺陷。 完善的晶体是无色透明的，众多的色心缺陷能使晶体呈现一定颜色，如氯化钠晶体变成了淡黄色、氟化钾晶体变成了淡紫色、氟化锂晶体出现了粉红色等。 典型的色心是F心。把碱卤晶体在碱金属的蒸气中加热，然后使之聚冷到室温，则原来透明的晶体就出现了颜色，这个过程称为增色过程，这些晶体在可见光区各有一个吸收带称为F带，而把产生这个带的吸收中心叫做F心