单组元先驱体化学气相沉积六方氮化硼的生长机制、性能及应用研究.pdfVIP

目 录 摘 要i Abstract iv 第1 章 绪论 1 1.1 h-BN 涂层的研究背景与意义 1 1.2 h-BN 涂层的制备工艺 2 1.2.1 物理气相沉积法 3 1.2.2 化学气相沉积法 4 1.2.3 浸渍涂布法 1 1.2.4 其它方法 2 1.3 化学气相沉积制备h-BN 涂层的工艺参数 3 1.3.1 先驱体种类 3 1.3.2 沉积温度 4 1.3.3 沉积压力 5 1.3.4 气体流速 5 1.3.5 沉积基底 6 1.4 化学气相沉积制备h-BN 涂层的研究进展 6 1.4.1 双组元工艺 1 1.4.2 单组元工艺 5 1.5 化学气相沉积h-BN 的性能和应用 9 1.5.1 薄膜材料 9 1.5.2 界面相涂层 10 1.5.3 PBN 材料 12 1.6 本文选题依据及研究内容 15 第2 章 实验与研究方法 17 2.1 原材料和试剂 17 2.1.1 陶瓷先驱体 17 2.1.2 沉积基底 17 2.1.3 其他原料及试剂 18 2.2 CVD 制备h-BN 涂层 19 2.2.1 工艺流程 19 第 I 页 2.2.2 化学气相沉积系统 20 2.3 复合材料的制备 23 2.3.1 PIP 工艺制备SiC /SiC 复合材料 23 f 2.3.2 PIP 工艺制备SiC /SiBCN 复合材料 24 f 2.4 分析表征方法 24 2.4.1 组成结构与形貌分析 24 2.4.2 性能测试 25 第3 章 化学气相沉积h-BN 的工艺研究 29 3.1 环硼氮烷的热解及陶瓷化过程 29 3.2 CVD BN 工艺参数设计 31 3.3 基底表面处理对沉积产物的影响 32 3.4 CVD BN 工艺参数的优化研究 33 3.4.1 沉积温度对CVD BN 性质的影响 34 3.4.2 沉积压力对CVD BN 性质的影响 45 3.4.3 沉积温度和沉积压力对CVD BN 的耦合作用 52 3.5 反应气组成对CVD BN 性质的影响 57 3.5.1 先驱体浓度对CVD BN 微观形貌的影响 57 3.5.2 先驱体浓度对CVD BN 元素组成的影响 61 3.5.3 稀释气种类对CVD BN 元素组成的影响 63 3.6 本章小结 65 第4 章 CVD BN 涂层的生长动力学及沉积机理研究 67 4.1 沉积温度对涂层生长动力学的影响 67 4.1.1 沉积温度对涂层