低维碲化钼材料的外延生长及扫描隧道显微镜研究.pdfVIP

目 录 摘 要 i Abstract ii 第一章 引言 1 1.1 低维纳米材料 1 1.2 二维过渡金属硫族化合物 6 1.2.1 结构 7 1.2.2 性质 8 1.2.3 制备 10 1.3 薄膜的形核与生长 11 1.4 本文的研究内容及结构 16 第二章 实验仪器及原理 18 2.1 超高真空技术 19 2.2 分子束外延 22 2.3 X 射线光电子能谱 25 2.4 扫描隧道显微镜 29 第三章 二维 MoTe 薄膜的可控生长及性质研究 33 2 3.1 研究背景 33 3.2 实验方法 36 3.3 MoTe2 薄膜的生长特征 38 3.4 2H-1T MoTe2 的异相同质结 40 3.5 对 1.2 nm 周期性调制结构的讨论 44 3.5.1 摩尔条纹 44 3.5.2 电荷密度波 46 3.6 MoSe2(1-x)Te2x 合金薄膜的生长 49 3.7 本章小结 55 第四章 一维 Mo Te 纳米线的可控生长及性质研究 57 6 6 4.1 研究背景 57 4.2 实验方法 60 4.3 Mo-Te 化合物生长形貌随温度的变化 60 4.4 1D Mo Te 纳米线的性质 63 6 6 第 I 页 4.5 Mo Te 纳米线的生长特征 68 6 6 4.5.1 一步生长法 68 4.5.2 两步生长法 70 4.6 1D Mo Te - 2D MoTe 的平面异质结 73 6 6 2 4.7 其它 TMDs 材料随温度变化的生长特征 74 4.7.1 W-Te 化合物 75 4.7.2 Nb-Se 化合物 77 4.8 本章小结 78 第五章 总结与展望 80 5.1 论文研究总结 80 5.2 后续工作展望 81 致 谢 82 参考文献 83 作者在学期间取得的学术成果 97 第 II 页 表 目 录 表 2.1 真空区域的划分 19 表 2.2 XPS 常用的 X 射线能量 27 表 3.1 合金 Te 比例系数x 随 TSe 、TTe 的变化 50