半导体照明课件 7 第5章 半导体发光材料体系.pptVIP

一、砷化镓（GaAs） 1、GaAs是黑灰色固体，是典型的直接跃迁型材料，其光子能量为1.4eV左右，发射的波长在900nm左右，属于近红外区。它是许多发光器件的基础材料，外延生长用的衬底材料。 几种III－V半导体发光材料 2、 GaAs中的缺陷主要是位错和化学计量比偏离造成的缺陷。(如：空位、填隙原子、代位原子，空位特别是Ga空位对发光效率影响很大) 3、 GaAs属闪锌矿结构，是极性共价键结合，离子性占0.31。 GaAs的自然解理面是（110）。 矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些平面称为解理面。 图 5-1 闪锌矿结构 (a) (b) 4、铜是GaAs中最有害的杂质，它能参与砷化镓晶体中所有的结构缺陷和杂质的相互作用，造成大量的有害能级。铜还是一种快扩散杂质，会造成器件性能劣化。 5、GaAs中的Si占据Ga或As位后形成施主或受主，因此是两性杂质。从Ga溶液中液相外延生产GaAs时，在高温下掺Si形成施主，在低温下掺Si形成受主，在940nm处出现发光峰。 6、 GaAs发光二极管采用普通封装结构时发光效率为4%，采用半球形结构时发光效率可达20%以上。它们被大量应用于遥控器和光电耦合器件。 二、磷化镓(GaP) 1、GaP是橙红色透明晶体，是典型的间接跃迁型材料。通过掺入不同的等电子陷阱中心，可以直接