半导体照明课件 10 第9章 InGaN 发光二极管.pptVIP

四、提高质量和降低成本的几个重要的技术问题 1. 衬底 GaN衬底生产技术和设备 目前, 国内外研究氮化镓衬底是用MOCVD和HVPE两台设备分开进行的。即先用MOCVD生长0.1～1微米的结晶层，再用HVPE生长约300微米的氮化镓衬底层，最后将原衬底剥离、抛光等。由于生长一个衬底需要在两个生长室中分两次生长，需要降温、生长停顿、取出等过程，这样不可避免地会出现以下问题：①样品表面粘污；②生长停顿、降温造成表面再构，影响下次生长。 蓝宝石单晶(Al2O3)是目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底材料。 四、提高质量和降低成本的几个重要的技术问题 蓝宝石衬底(Al2O3) 生产技术成熟、器件质量好； 稳定性很好，能够运用在高温生长过程； 机械强度高，易于处理和清洗。 优点： 四、提高质量和降低成本的几个重要的技术问题 蓝宝石衬底(Al2O3) 存在的问题 （1）晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。 （2）无法制作垂直结构的器件，因为蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm。 （3）导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生 长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。 四、提高质量和降低成本的几个重要的技术问题 蓝宝石衬底(Al2O3)