半导体照明课件 5 第3章 半导体发光材料的晶体导论.pptVIP

3.4 半导体发光材料的条件 * 第3章 半导体发光材料晶体导论 广东工业大学 第 3 章 半导体发光材料晶体导论 3.1 晶体结构 3.2 能带结构 3.3 半导体晶体材料的电学性质 3.4 半导体发光材料的条件 半导体发光器件的材料主要使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶,如GaAs、GaP、GaN, 或者是三元化合物晶体GaAsP、GaAlAs、InGaN以及四元化合物晶体InGaAlP、InGaAsP等。 本章主要介绍这些晶体的构造、能带结构以及电学特性。这些内容是了解、制造、测试发光材料和应用这些材料制作发光器件的基础。 右图为砷化镓的动量-能量关系曲线，其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 直接带隙半导体： 能量/eV 砷化镓有一非常窄的导带抛物线，其电子的有效质量仅为0.063m0。 直接带隙和间接带隙半导体 3.1 半导体晶体结构 3.2 能带结构 对硅而言，其动量-能量曲线中价带顶部发生在p＝0时，但导带的最低处则发生在沿[100]方向的p＝pC。因此，当电子从硅的价带顶部转换到导带最低点时，不仅需要能量转换(≥Eg),也需要动量转换(≥pC)。这类半导体称为间接带隙半导体。硅有一较宽的导带