半导体照明课件 12 第10章 LED芯片制造技术.pptVIP

4、pn结电极 V型电极：芯片上要两个电极 L型电极：相对V型电极，芯片上只要一个电极，导热性能好，光输出功率高，大电流LED工作的I-P特性好 四、LED芯片电极P极和N极制作 N电极蒸发（Al） N电极光刻（Al） 激光切割外延片成芯片 五、LED外延片的切割成芯片 划片 小 结 LED芯片的制作： 选择衬底、MOCVD外延芯片多层薄膜、成品外延片的检测； LED芯片电极的制造； LED芯片的切割、分选。 制造LED芯片的工艺流程 总的来说，LED制作流程分为两大部分： 1、首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。 常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。 制造LED芯片的工艺流程 2、然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然