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超晶格;8-1　异质结异质结：两种不同;在器件，特别是光电器件的设计和;异质的能带突变异质结的两边是不;能带突变的应用能带突变的应用是;晶格失配在异质外延层和衬底或相;晶格失配的影响 晶格失;晶格失配不利影响的消除办法(1;晶格失配不利影响的消除办法(2;(3) 组分突变法　　　在液相;8-5 超晶格与量子阱半导体超;超晶格概念的提出的意义． ;超晶格超晶格是一种新型结构的半;两种晶格非常匹配但禁带宽度不同;GaAs和AlAs交替叠合而成;半导体超晶格与多量子阱 ;用两种禁带宽度不同的材料A和B;EgzEv1 Ev2 Ec2 ;对电子和空穴的运动来说，GaA;多量子阱和超晶格的区别多量子阱;在超晶格量子阱中．由于电子沿量;量子阱的应用量子阱红外探测器　;组分超晶格目前已设计制备出多种;无标题;一、组分超晶格的制备 制备组分;MOVPE法生长GalnAs／;由于Ga1-xInAs与衬底I;生长GaInAs／InP超晶格;GalnAs／InP量子阱结构;(2)组分的控制。由于阱层很薄;(3)阱层厚度的控制。在一定生;掺杂超晶格掺杂超晶格是在同一种;无标题;掺杂超晶格的一个优点是，任何一;多维超晶格 一维超晶格与;无标题;自组装量子点量子点：三维限制的;目前对于异质材料外延生长机制一;无标题;目前，依据SK模式已生长了多种;量子点的应用理论上预言,由于量;应变超晶格 超晶格研究的;由于应变超晶格中原组成材料晶格;在生长超晶格时形成与两种原材料;能带工程”　　超晶格量子阱结构;能带工程半导体光电子器件的发展;带隙工程 带隙工程亦称为量;带结构工程 带隙工程的基;当进行失配外延生长，外延层厚度;应变效应可以改变量子阱结构的能;如果在应变量子阱结构的垒层中引;带结构工程也给材料带来很多有用;带偏移工程　　由两种材料组成的;价带的偏移可由下式得到： ;无标题;量子尺寸效应 是指当粒子尺寸下;在静止的流体中只有各向同性的正;此课件下载可自行编辑修改，仅供