霍尔效应实验仪原理及其应用.docxVIP

、实验名称： 霍尔效应原理及其应用 、实验名称： 霍尔效应原理及其应用 二、实验目的： 1、了解霍尔效应产生原理； 2、 测量霍尔元件的 Vh Is、Vh Im曲线，了解霍尔电压 Vh与霍尔元件工作电流Is、直 螺线管的励磁电流 Im 间的关系； 3、 学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法， 测量长直螺旋管轴向磁感应强度 B 及分 布； 4、 学习用对称交换测量法（异号法）消除负效应产生的系统误差。 三、 仪器用具： YX-04 型霍尔效应实验仪（ 仪器资产编号 ） 四、 实验原理： 1、霍尔效应现象及物理解释 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力 fB 作用而引起的偏转。 当带电 粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生 正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图1所示。 半导体样品，若在X方向通以电流 Is，在Z方向加磁场 B，则在y方向即样品A、A 电 极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场 EH ，电场的指向取决于样品的导电类型。显然， 当载流子所受的横向电场力 fE fB时电荷不断聚积，电场不断加强，直到fE fB样品两侧电 荷的积累就达到平衡，即样品A、A 间形成了稳定的电势差（霍尔电压） Vh。 设Eh为霍尔电场，v是载流子在电流方向上的平均漂移速度； 样品的宽度为b ,厚度为d , 载流子浓度为 n ，则有： n evbd(1 n evbd (1— 1) 因为fE eEH , fB evB，又根据fE fB，则 Vh E Vh Eh b 丄 ne d (1 — 2) 其中Rh 1/(ne)称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出 Vh、B 以及知道Is和d，可按下式计算3RH(m /c): 以及知道Is和d，可按下式计算 3 RH(m /c): Rh Vh d IsB Kh Uh /IsB (1 — 3) (1 — 4) Kh为霍尔元件灵敏度。根据R H可进一步确定以下参数。 由Vh的符号(霍尔电压的正负) 判断样品的导电类型。 判别的方法是按图1所示的 Is和B的方向(即测量中的+ Is , + B),若测得的Vh VO (即A的电位低于A的电位)， 则样品属N型，反之为P型。 由Vh求载流子浓度n，即n 1/(KHed)。应该指出，这个关系式是假定所有载流 子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入 3 /8的修 正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。 (3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率 之间有如下关系： ne (1 — 5) 2、霍尔效应中的副效应及其消除方法 。电导率与载流子浓度n以及迁移率 图2 在磁场中的霍尔元件 上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产 生四种副效应，使 Vh的测量产生系统误差，如图2所示。 厄廷好森效应引起的电势差 VE。由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动， 速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能 量高的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电动势 Ve。可以证明Ve IsB。 Ve的正负 与和B的方向有关。 能斯特效应引起的电势差 Vn。焊点1、2间接触电阻可能不同， 通电发热程度不同， 故1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在 3、4点间形成电势差 Vn。若只考虑接触电阻的差异，贝U Vn的方向仅与磁场B的方向有关。 里纪-勒杜克效应产生的电势差 Vr。上述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据 厄廷好森效应同样的理由，又会在3、4点间形成温差电动势 Vr。Vr的正负仅与B的方向有 关，而与Is的方向无关。 不等电势效应引起的电势差 V0 。由于制造上的困难及材料的不均匀性，3、4两点 实际上不可能在同一等势面上，只要有电流沿 x方向流过，即使没有磁场 B ,3、4两点间也 会出现电势差Vo。乂的正负只与电流Is的方向有关，而与 B的方向无关。 综上所述，在确定的磁场B和电流Is下，实际测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的 附加电压的代数和。 可以通过对称测量方法， 即改变|s和磁场B的方向加以消除和减小副效应 的影响。在规定了电流Is和磁场B正、反方向后，可以测量出由下列四组不同方向的 Is和B组 合的电压。即： +B , I s： V1 VH VE VN VR V0 +B Is： V2 Vh Ve Vn Vr V0 -B Is : V3 Vh Ve Vn Vr V0 -B Is : V4 Vh Ve Vn Vr V0 然后求 V1 , V2 , V3 , V4 的代数平均值得： Vi V2 V3 V4 4(Vh