传感器技术应用 1.3 电子产品新技术介绍 8.光电传感器的应用与新技术.doc

传感器应用新技术介绍 一、百度文库 / 二、光电传感器的应用与新技术 （一） 光电池和光电阻 在介绍光电传感器之前，我们有必要先了解一下光电效应。光电效应是光照射到某些物质上，使该物质的电特性发生变化的一种物理现象，可分为光电子发射、 光电导效应和 光生伏特效应三种。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应[1]。它是指，在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光电导效应是指当入射光射到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。光生伏特效应是指当一定波长的光照射非均匀半导体（如PN结），在自建场的作用下，半导体内部产生光电压的效应[2]。光电传感器都是利用光电效应制成的。 光电池 光电池是一种能在光的照射下，不加偏置，产生电动势半导体器件，也属于电能量型传感器。光电池的种类很多，有硒，氧化亚铜，硫化铊，硫化镉，锗，硅，砷化镓光电池等。其中最受重视的是硅光电池，因为它有一系列优点：性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，传递效率高（接近理论极限17%），能耐高温辐射等[3]。 1.1光电池的工作原理 光电池的工作原理是光生伏特效应。当光子的能量hγ大于半导体材料的禁带宽度时，半导体材料吸收光而产生电子空穴对，这样在半导体材料内部形成载流子的浓度梯度，进而在受照表面和暗面产生一个开路的光电压。 1.2光电池的特性 光电池的特性主要有光谱特性，光照特性等。 如 图为硒光电池和硅光电池的光谱特性曲线，即相对灵敏度与入射光的波长的关系曲线。从图上可知，不同材料的光谱峰值位置是不同的[4]。硅光电池的峰值在800微米左右，而锗光电池的峰值在450微米左右。实际使用时，应根据光源性质来选择光电池，而且要注意的是，光电池的光谱特性还与温度有关。 如图为硅光电池的光照特性。光生电动势与光照间的特性曲线称为开路电压曲线，光电流密度与光照强度的特性曲线称为短路电流曲线。由图可知，当光照足够大时，开路电压趋于饱和，因此，可以将光电池当做电流源使用，这是光电池的主要优点之一[5]。 光电池的特性还有频率特性，温度特性，在这儿就不详细叙述了。 1.3光电池的应用 光电池至今有两大类型的应用：一类是将光电池作为光伏器件使用，利用光伏作用直接将太阳能转换成电能，即太阳能电池。太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设施、太阳能电池地面发射站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。目前太阳能电池发电成本尚不能与常规能源竞争，但是随着太阳能电池技术不断发展，成本会逐渐下降，定会获得更广泛的应用。另一类是将光电池作为光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间短等特性。这一类光电池需要特殊的工艺制造，主要用于光电监测和自动控制系统中[6]。光电阻传感器 光电阻传感器是将光信号转换成电阻变化的一种传感器。若用这种传感器测量其他非电量时，只要将被测信号的变化转换成光信号即可。此种测量方法具有结构简单，非接触，高可靠性，高精度和反应快等优点。故广泛应用于自动检测系统中[7]。光电阻传感器分为光敏电阻和光敏晶体管两类。光敏晶体管有分为光敏二极管和光敏三极管。他们的的原理主要基于光电效应，但又有所不同。 2.1光电阻传感器的工作原理 2.1.1光电池的工作原理 有些半导体当受到光照射时，如果光子的能量大于本征半导体的禁带宽度，电子会吸收光子而跃迁，激发产生电子空穴对，从而导致阻值的变化。光敏电阻有很高的灵敏度，光谱的响应范围可以从紫外区到红外区。 2.1.2光敏晶体管的工作原理 PN结受到光照时，PN结附近产生光生电子-空穴对，他们在PN结内电场作用下定向运动形成光电流。光的强度越大，光电流越大。因此在不受光照射时，光敏晶体管处于截止状态，在受到光照射时，光敏晶体管处于导通状态。光敏三极管比光敏二极管具有更高的灵敏度。 2.2光电阻传感器的工作特性 2.2.1光敏电阻的工作特性 光敏电阻的光电流和光照强度的关系曲线称为光敏电阻的光照特性。不同光敏电阻的光照特性是不同的，但在大多数情况下是具有饱和特性的曲线。由于光敏电阻的光照特性曲线是非线性的，因此不适宜做线性敏感原件，这是光敏电阻的缺点之一[8]。 光敏电阻对于不同波长的入射光，其相对灵敏度是不同的。各种材料的光谱特性曲线如图所示，由此可以看出，硫化镉的峰值在可见光区，而硫化铅的峰值在红外区[9]。 光敏电阻的特性还有频率特性，温度特性，在这儿就不详细叙述了。 2.2.2光敏晶体管的工作特性 如图为光敏晶体管的光谱特性曲线。不同材料的光敏晶体管，峰值出现在不同区域，一般来说，在可见光或探测炽热状态的物体时，都采用硅管，而在红外探测时，一般采用锗管[10]。 如图，光敏晶体管的输出电流和光照之间可以 看作是线性关系。 光敏晶体管的特性