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届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届届二氧化锗可用于制备半导体材料某实验小组以铁矾渣主要成分为和等为原料制取二氧化锗的工艺流程如下所示已知时部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀时的如下表所示离子开始沉淀时的沉淀完全时的请回答下列问题由下图可知浸出时所用硫酸的最佳质量分数为浸渣的主要氧化时可选用的试剂为填字母氧化时若以适量稀硝酸作氧化剂则被氧化的离子方程式为氧化后选用溶液证明已全部被氧化的实验现象为除铁时可选用为除铁剂其原理为已知具有两性在得到的过程中若溶液的大于会导致溶解写出该反应
2020届届届届届届届届届届届
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1. 二氧化锗 (GeO2) 可用于制备半导体材料,某实验小组以铁矾渣 (主要成分为 FeO、
CaO、GeO 和SiO2等)为原料制取二氧化锗的工艺流程如下所示。
已知: 25℃时,部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀时的 pH 如下表所示。
离子
Fe3+
Mn 2+
Ge4+
开始沉淀时的 pH
2.3
8.3
8.2
沉淀完全时的 pH
4.1
9.8
11.2
请回答下列问题:
由下图可知,“浸出”时,所用硫酸的最佳质量分数为 ,浸渣的主要
“氧化”时,可选用的试剂为 (填字母 )。
A. KMnO 4
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