半导体制造MEMS工艺技术概述.pdf

半导体制造MEMS工艺技术概述 技术创新，变革未来 主要内容 ➢ 掺杂技术、退火技术 ➢ 表面薄膜制造技术 ➢ 光刻技术 ➢ 金属化技术 ➢ 刻蚀技术 ➢ 净化与清洗 ➢ 接触与互连 ➢ 键合、装配和封装 集成电路制造过程 一、掺杂与退火 掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂 质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半 导体基片规定的区域内，并达到规定的数量 和符合要求的分布，以达到改变材料电学性 质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线 的目的。 掺杂的主要形式：注入和扩散 ➢退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不 活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 ➢目的：激活杂质 消除损伤 结构释放后消除残余应力 ➢退火方式： 炉退火 快速退火 1.扩散工艺 ➢定义：在一定温度下杂质原子具有一 定能量，能够克服阻力进入半导体并 在其中做缓慢的迁移运动。 ➢形式：替代式扩散和间隙式扩散 恒定表面浓度扩散和再分布扩散 ➢替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： ➢Ⅲ、Ⅴ族元素 ➢一般要在很高的温度(950 ～1280℃)下进行 ➢磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均 远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层 作为杂质扩散的掩蔽层 ➢间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： ➢Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 ➢扩散系数要比替位式扩散大6 ～7个数量级 扩散工艺主要参数 ➢结深：当用与衬底导电类型相反的杂质 进行扩散时，在硅片内扩散杂质浓度与 衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了 pn结，结距扩散表面的距离叫结深。 ➢薄层电阻Rs （方块电阻） ➢表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。 扩散的适用数学模型是Fick定律 式中： F 为掺入量 D 为扩散率 N 每单位基底体积中掺入浓度 扩散方式 ➢液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进 入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反 应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。 ➢固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后 与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内 部扩散。 液态源扩散 硼B ➢扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等 ➢扩散原理：硼酸三甲酯500C分解后与硅反 应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子继 续向内部扩散，形成扩散层。 ➢扩散系统：N 气源、纯化、扩散源、 2 扩散炉 ➢扩散工艺：预沉积，去BSG，再分布 ➢工艺条件对扩散结果的影响 ➢气体流量、杂质源、温度 液态源扩散 磷P ➢扩散源：POCl3，PCl3，PBr3等 ➢扩散原理：三氯氧磷600C分解后与硅反应， 在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子继续向内 部扩散，形成扩散层。 ➢扩散系统：O2和N2气源、纯化、扩散源、源 冷却系统、扩散炉 ➢扩散工艺：预沉积，去PSG，再分布 固态源扩散 ➢箱法B扩散 B2O3或BN源，石英密封箱 ➢片状BN扩散 氧气活化，氮气保护，石英管和石英 舟，预沉积和再分布 ➢片状P扩散 扩散源为偏磷酸铝和焦磷酸硅 ➢固-固扩散（乳胶源扩散） 扩散炉 质量分析 ➢ 1 ．硅片表面不良：表面合金点；表面黑点或白雾；表面 凸起物；表面氧化层颜色不一致；硅片表面滑移线或硅片 弯曲；硅片表面划伤，边缘缺损，或硅片开裂等 ➢ 2 ．漏电电流大：表面沾污引起的表面漏电；氧化层的缺