2020半导体 第十一讲 光刻胶的研究进展.pptVIP

第十一讲 光刻胶的研究进展 内容 ? 光刻胶：正胶与反胶 ? 光刻胶的涂敷和显影 ? 非光学光刻技术 ? 深亚微米光刻的新光刻胶工艺技术 ? 直写电子束光刻系统 ? 光刻胶在曝光之后，被浸入显影溶液中。 在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域 溶解得要快得多。理想情况下，未曝光的 区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在 显影剂中未曝光的区域将溶解，而曝光的 区域被保留。正胶的分辨率往往是最好的， 因此在 IC 制造中的应用更为普及 ? IC 制造中用的光刻胶通常有三种成分，树脂或 基体材料、感光化合物 (PAC ： photoactive compound) 、以及可控制光刻胶机械性能（例 如集体黏滞性）并使其保持液体状态的溶剂。 ? 在正性光刻胶中， PAC 在曝光前作为一种抑制 剂，降低光刻胶在显影溶液中的溶解速度。在 正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使 抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速 率。 ? 理想情况下，抑制剂应完全阻止光刻胶的任何 溶解，而增强剂则产生一个无限大的溶解速率 ? 光刻胶使用性能指标：灵敏度和分辨率 ? 灵敏度是指发生上述化学变化所需的光 能量（通常用 mJ/cm 2 来度量） ? 光刻胶的灵敏度越高，曝光过程越快， 因此对一个给定的曝光强度，所需的曝 光时间将缩短 ? 分辨率是指能在光刻胶上再现的最小特 征尺寸 ? 分辨率对曝光设备和光刻胶自身