第七章接触与互连1.pptVIP

7.3 金属化的实现 蒸发多成分薄膜： 单源蒸发；多源同时蒸发；多源 按次序蒸发 7.3 金属化的实现 真空溅射淀积 溅射淀积： 用核能离子轰击靶材，使靶材原子从 靶表面逸出，淀积在衬底材料上的过程。 7.2 金属化 事实上，硅并不会均匀地溶解，而是发生在某些点上．下 图为在 p-n 结中，铝穿透到硅中的实际情形，可观察到仅 有少数几个点有尖锲形成． 7.2 金属化 铝的尖楔 SEM 照片 7.2 金属化 减少铝尖锲的方法一种是将铝与硅共同蒸发，使铝中的硅含量到 达固态溶解的要求。另一种方法是在铝与硅衬底中加入金属阻挡 层 (Diffusion Barrier) ( 如下图所示 ) 。此层必须满足以下的要求： ①与硅形成的接触电阻要小； ②不会与铝起反应； ③淀积及形成方式必须与其他所有工艺相容。 目前，经评估发现 TiN 可在550℃、 30min 退火环境下呈现稳定状 态，适合作为金属阻挡层。 7.2 金属化 铝的电迁移 ? 当大密度电流流过金属薄膜时，具有大动量的 导电电子将与金属原子发生动量交换，使金属 原子沿电子流的方向迁移，这种现象称为金属 电迁移 ? 电迁移会使金属原子在阳极端堆积，形成小丘 或晶须，造成电极间短路；在阴极端由于金属 空位的积聚而形成空洞，导致电路开路 e void Hillock 7.2 金属化 电迁移引起的到平均失效时间（ MTF ）与电流密 度 J 及激活能 E a 间的关系大致为 铝膜的 E a ＝ 0.5eV ，这表明材料迁移主要形式是 低温下晶粒间界扩散，因为单晶铝自扩散的 E a ＝ 1.4eV 。 E a 1 MTF ~ 2 exp( ) J kT 7.2 金属化 7.2 金属化 阻止电迁移的方法有 与 0.5 ～ 4 ％铜形成合金 ( 可以降低铝原子在晶间 的扩散系数。但同时电阻率会增加！ ) 、以介质 将导通封闭起来、淀积时加氧。 由于铜的抗电迁移性好，铝 - 铜（ 0.5-4% ）或铝 - 钛（ 0.1-0.5% ）合金结构防止电迁移，结合 Al- Si 合金，在实际应用中人们经常使用既含有铜又 含有硅的 Al-Si-Cu 合金以防止合金化（即共熔） 问题和电迁移问题。 7.2 金属化 铜镀膜 为降低金属连线的 RC 时间延迟，需使用高电导率的导线 与低介电常数的绝缘层，这已是大家的共识。对未来新 的金属连线工艺，铜是很明显的选择，因为相对于铝， 它具有较高的导电性与较强的电迁移抵抗能力。铜的淀 积可用 PVD 、 CVD 及电化学等方式。然而相对于铝， 在 ULSI 电路的领域中，铜的使用亦有其缺点。例如， 在标准的芯片工艺下，有易腐蚀的倾向、缺乏可行的干 法刻蚀方式、不像铝有稳定的自我钝化 (self- passivating) 氧化物 Al 2 O 3 以及与介质 ( 如二氧化硅或低 介电常数的聚合物 ) 的附着力太差等。 7.2 金属化 各种用来制作多层铜导线的技术相继被提出．第一种方法 是以传统的方式去定义金属线，再进行介质淀积；第二 种方法是先定义介质，然后再将金属铜填人沟槽内，随 后进行化学机械抛光 ( 将在 11.4.5 中讨论 ) 以去除在介质 表面多余的金属而仅保留孔或沟槽内的铜，这种方法称 为嵌入工艺 (damascene process) ． 嵌入技术： 使用铜一低介电常数介质作互连线的方法是“ 嵌入法”或是“双层嵌入法” (dual damascene) ．对 一个典型的嵌入式结构，先规定金属线的沟槽并刻蚀层 间介质 (interlayer dielectric ， ILD) ，再填入金属 TaN/Cu 。 TaN 的目的是作为扩散阻挡层以阻止铜穿透 低介电常数的介质。表面上多余的铜将被去除，因此可 获得一平面结构，而金属则镶嵌在介质中。 7.2 金属化 对于双层嵌入法而言，在淀积金 属铜前，先进行图形曝光工艺， 并刻蚀出通孔及沟槽，如右图 (a) ～ (d) 所示。接着，对铜进行 化学机械抛光，使介质表面平坦 且没有多余的金属，只有在绝缘 层通孔内才镶嵌着金属。使用双 层嵌入法的好处是通孔插栓与金 属线是相同的材料，所以可减少 由通孔产生电迁移失效的问题。 7.2 金属化 如果我们以铜导线取代传统铝导 线，并采用低介电常数的介质 (k=2.6) 取代二氧化硅，将可减 低多少百分比的 RC 时间常数？ （铝的电阻率为2.7μ?? cm ，而 铜为1.7μ?? cm) 。 解： 1.7 2.7 ? 2.6 3.9 ? 100% ? 42% 7.2 金属化