2020第十章金属化与平坦化.pptVIP

10 ： 用 CMP 清除额外的铜 Copper 说明： 用 CMP 清除额外的铜，这一过程平坦 化了表面并为下道工序做了准备。最 后的表面是一个金属镶嵌在介质内， 形成电路的平面结构。 53 电迁移 (electromigration) 现象 ? 电流携带的电子把动量转移给导电的金属 原子，使其移动，金属形成空洞和小丘 小丘短接的两条金属线 金属线中的空洞 21 铝铜合金 ? ? ? 由于铝的低电阻率及其与硅片制造工艺的兼容性， 因此被选择为 IC 的主要互连材料。然而 铝 有众所 周知 的电迁徒引起 的 可靠性问题 。 由于电迁徒， 在金属表面金属原子堆起来形成小丘（如图所示） 如果大量的小丘形成，毗邻的连线或两层之间的 连线有可能短接在一起。 当 少量 百分比的 铜与铝形成合金， 铝的电迁移现 象会被显著的改善。 Al-Si-Cu (0.5%) 合金是最常使用的连线金属 22 ? ? 由于 ULSI 组件密度的增加， 互连电阻 和 寄 生电容 也会随之增加，从而 降低了信号的 传播速度。 减小互连电阻 可通过用 铜取代铝 作为基本 的导电金属而实现。对于亚微米的线宽， 需要 低 K 值层间介质（ ILD ） 。 通过降低介 电常数来减少寄生电容。 23 IC 互连金属化引入铜的优点 1. 电阻率的减小： 互连金属线的电阻率减小可 以减少信号的延迟，增加芯片速度。 2. 功耗的减少： 减小了线的宽度，降低了功耗。 3. 更高的集成密度： 更窄的线宽，允许更高密 度的电路集成，这意味着需要更少的金属层。 4. 良好的抗电迁徒性能： 铜不需要考虑电迁徒 问题。 5. 更少的工艺步骤： 用大马士革 方法处理铜具 有减少工艺步骤 20 ％ to 30 % 的潜力。 24 对铜的挑战 与传统的铝互连比较，用铜作为半导体互连主 要涉及 三个方面的挑战 ，这些挑战明显不同于铝 技术，在铜应用与 IC 互连之前必须解决： 1. 铜快速扩散进氧化硅和硅， 一旦进入器件的有源 区，将会损坏器件。 2. 应用常规的 等离子体刻蚀工艺，铜不能容易形成 图形。 干法刻蚀铜时，在它的化学反应期间不产 生挥发性的副产物，而这对于经济的干法刻蚀是 必不可少的。 3. 低温下（＜200℃）空气中， 铜很快被氧化 ，而 且不会形成保护层阻止铜进一步氧化。 25 用于铜互连结构的阻挡层： 提高欧姆接触可靠性 更 有效的方法是用 阻挡层金属化 ，这种方法可消除诸如浅 结材料刻蚀或结尖刺的问题。 阻挡层金属 是淀积金属或 金属塞， 作用是阻止层上下的材料互相混合 （见下图）。 其厚度对 0.25 μ m 工艺来说为 100nm ；对 0.35 μ m 工艺来说 阻挡层金属 为 400 ～ 600nm 。 铜 26 可接受的 阻挡层金属的基本特征： 1. 有很好的 阻挡扩散作用； 2. 高导电率具有很 低的欧姆接触电阻； 3. 在半导体和金属之间有 很好的附着； 4. 抗电迁徒； 5. 在很薄的并且高温下具有很好的 稳定性； 6. 抗侵蚀和氧化。 27 铜 在硅和二氧化硅中都 有很高的扩散率 ，这种高扩 散率将破坏器件的性能。 传统的阻挡层金属对铜来说阻挡 作用不够，铜需要 由一层薄膜阻挡层完全封闭起来，这层 封闭薄膜的作用是 加固附着 并有效地 阻止扩散。 钽作为铜的阻挡层金属： 对于铜互连冶金术来说，钽 （ Ta ） 、 氮化钽和钽化硅 都是阻挡层金属的待选材 料，阻挡层厚度必须很薄（约 75 埃），以致它不影响 具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻挡 层的角色。 钽 铜 28 硅化物 Silicide 难熔金属与硅 在一起发生反应，熔合时形成 硅化物 。 硅化物 是一种 具有热稳定性 的金属化合 物，并且在硅 / 难熔金属的分界面具有低的电阻率。 在硅片制造业中，难熔金属硅化物是非常重要的， 因为为了提高芯片性能，需要减小许多源漏和栅 区硅接触的电阻。在 铝互连技术中，钛和钴是用 于接触的普通难熔金属。 如果难熔金属和多晶硅反应。那么它被称为 多晶硅化物 。 掺杂的多晶硅 被用作 栅电极 ，相对 而言它有 较高的电阻率 （约 500 μ Ω -cm ），正是这 导致了不应有的 信号延迟 。 多晶硅化物 对减小连 接多晶硅的串联导致是有益的，同时也保持了多 晶硅对氧化硅好的界面特性。 29 多晶硅上的 多晶硅化物 Polycide 钛多晶硅化物 多晶硅栅 钛硅化物 掺杂硅 Figure 12.10 30 Silicide Polycide Salicide ? ? ? 这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利 用硅化物来降低 POLY 上的连接电阻 。但生成的 工艺是不一样的 Silicide 就是金属硅化物 ，是由金属和硅经过物 理－化学反应形成的一