2020第五章富勒烯与碳纳米管.pptVIP

电磁性能 ? 碳纳米管具有良好的导电性能，由于碳纳米管的结构与石墨的片 层结构相同，所以具有很好的电学性能。 ? 理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角，表现出导体 和半导体性能； ? 完美碳纳米管比缺陷碳纳米管的电阻小一个数量级； ? 径向电阻大于轴向电阻； ? 碳纳米管束和单根纳米管都显示超导性，后者显示温度更低。 热学性能 ? 碳纳米管具有良好的传热性能， CNTs 具有非常大的长径比，因而 其沿着长度方向的热交换性能很高。 ? 碳纳米管有着较高的热导率，只要在复合材料中掺杂微量的碳纳 米管，该复合材料的热导率将会可能得到很大的改善。 光学性能 ? 碳纳米管具有良好的场发射性能。 ? 碳纳米管薄膜对太阳光有较强的吸收作用。 电弧放电法 电弧放电法制备的碳纳米管空间取向不定、易烧结， 且杂质含量较高。 激光蒸发法 主要缺点在于单壁碳纳米管的纯度较低、易纠结。 化学气相沉积法 ? 其生长主要过程包括过渡 金属催化剂颗粒吸附和分 解碳氢化合物，生成的碳 原子扩散至催化剂内部形 成金属 - 碳的固溶体，碳原 子从过饱和的催化剂颗粒 中析出，形成碳管结构。 ? CVD 方法的优点在于能够 批量生产，降低合成成本。 而缺点在于容易形成有缺 陷的碳管材料。 常用气体： C 6 H 6 , C 2 H 2 , C 2 H 4 等 常用温度范围： 500-1000 ? C 常用催化剂： Fe, Co, Ni 等 碳纳米管的生长机制 自从 1991 年 Iijima 发现碳纳米管以来，理论上对于碳纳 米管的形成提出了各种生长模型，如： ? 五元环 - 七元环缺陷沉积生长 ? 层 - 层相互作用生长 (lip-lip interaction) ? 层流生长 (step flow) ? 端部生长 (tip growth) ? 底部生长 (base growth) ? 喷槊生长 (extrusion mode) 端部生长和喷槊生长 ? 喷槊生长模式 认为金属催化剂才是碳纳米管的持续生长点，碳原 子不断沉积到催化剂颗粒上形成金属 - 碳合金，当碳原子达到饱和 时由颗粒的一端析出形成碳纳米管。 这两种机理的主要区别在于 生长过程中先形成的一端距离催化剂的相对位置远近。 端部生长模式 假定催化剂颗粒在碳 纳米管的生长过程中起到促进成核 的作用。一旦碳纳米管初步形成并 将催化剂包覆起来以后，生长点即 转为管的开口端，碳源不断沉积到 开口的悬键上导致碳纳米管持续生 长。温度降低时开口端封闭停止生 长。 顶部生长和底部生长 ? 底部生长模式 ：即金属催化剂颗粒附 着在衬底上，碳纳米管的顶端封闭， 且不含催化剂。碳源从碳纳米管与催 化剂材料的接界处提供。 ? 顶部生长模式 ：即位于碳纳米管顶端 的金属催化剂颗粒随着碳纳米管的生 长而移动，被携带移动的催化剂颗粒 用来提供碳纳米管生长所必需的碳源。 严格说来，这两种模式不涉及到本质的机理不同，它们都属于喷槊 生长。 区别只是催化剂在生长过程中是停留在衬底上还是被顶在碳 纳米管的尖端上。这种区别仅仅由催化剂与衬底的附着力强弱而定。 CVD 生长机理实验验证 实验过程采用了两种同位素通气顺 序， (1) 先通 12 C 乙烯 15s ，再通 13 C 乙烯 45s ； (2) 先通 13 C 乙烯 15s ，再 通 12 C 乙烯 45s 。 CVD 生长机理实验验证 13C 标记的 MWCNT 阵列的微区拉曼谱 (a) 纯 12 C 和纯 13 CMWCNT 阵列的参考拉曼谱 (b) 先通 12 C 再通 13 C 的乙烯生长的阵列极其微区拉曼谱 (c) 先通 13 C 再通 12 C 的乙烯生长的阵列极其微区拉曼谱 MWCNT 的生长机理示意图 图中黑色椭圆表示附着在多孔硅衬底（白点区域）的 Fe 催 化剂颗粒，阴影部分表示 13C 同位素。四个瞬间表示出 12C- 13C 同位素结碳纳米管的生长过程。 碳纳米材料 司徒粤 讲师 化学与化工学院 华南理工大学 碳元素的同素异形体 a 金刚石 b 石墨 c 蓝丝黛尔石（六 方金刚石） d/e/f 巴克球 g 不定型碳 h 碳纳米管 石墨烯 石墨炔 碳的同素异形体 金刚石（ SP3 ） 石墨（ SP2 ） 内