052010年新瓷器时代-led陶瓷散热措施.docx

暧司柏电子为因应高功率 LED照明世代的来临，致力寻求高功率 LED的解热方案，近年来，陶 瓷的优良绝缘性与散热效率促使得 LED照明进入了新瓷器时代。 LED散热技术随着高功率 LED 产品的应用发展，已成为各家业者相继寻求解决的议题，而 LED散热支架的选择亦随着 LED之 线路设计、尺寸、发光效率…等条件的不同有设计上的差异，以目前市陎上最常见的可区分为 （一 ＞系统电路板， 其主要是作为 LED最后将热能传导到大气中、散热鳍片或外壳的散热系统， 而列为系统电路板的种类包括：铝支架 （MCPCB＞印刷电路板（PCB＞以及软式印刷电路板（FPC＞。 （二＞LED晶粒支架，是属于 LED晶粒与系统电路板两者之间热能导岀的媒介，并藉由共晶或覆 晶与LED晶粒结合。为确保 LED的散热稳定与LED晶粒的发光效率，近期许多以陶瓷材料作 为高功率LED散热支架之应用，其种类主要包含有：低温共烧多层陶瓷 （LTCC＞、高温共烧多层 陶瓷（HTCC ＞、直接接合铜支架（DBC＞、直接镀铜支架（DPC＞四种，以下本文将针对陶瓷 LED晶 粒支架的种类做深入的探讨。 2、陶瓷散热支架种类 现阶段较普遍的陶瓷散热支架种类共有 LTCC HTCC DBC DPC四种，其中HTCC属于较早期发 展之技术，但由于其较高的制程温度 （1300?1600 C ＞，使其电极材料的选择受限，且制作成本 相当昂贵，这些因素促使 LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约 850 C,但其尺寸精确度、 产品强度等技术上的问题尚待突破。而 DBC与DPC则为近几年才开发成熟，且能量产化的专业 技术，但对于许多人来说，此两项专业的制程技术仍然很陌生，甚至可能将两者误解为同样的 制程。DBC乃利用高温加热将 AI2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决 AI2O3与Cu板 间微气孔产生之问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，而 DPC技术则是利用 直接披覆技术，将 Cu沉积于Al2O3支架之上，其制程结合材料与薄膜制程技术，其产品为近 年最普遍使用的陶瓷散热支架。然而其材料控制与制程技术整合能力要求较高，这使得跨入 DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高，下文将针对四种陶瓷散热支架的生产流程做进一 步的说明，进而更加了解四种陶瓷散热支架制造过程的差异。 b5E2RGbCAP 2-1 LTCC （Low-Temperature Co-fired Ceramic〉 LTCC又称为低温共烧多层陶瓷支架，此技术 须先将无机的氧化铝粉与约 30%?50%勺玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆 料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚， 然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递， LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别 于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动 作，放置于850?900 C的烧结炉中烧结成型，即可完成。详细制造过程如图 1 LTCC生产流程图。 plEanqFDPw 1] 1 LTCC生產流程置 2-2 HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic〉 2-2 HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic〉 HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造 过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于 HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此， HTCC DXDiTa9E3d的必须再高温1300?1600 C环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填 孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高 但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型 DXDiTa9E3d 2-3 DBC (Direct Bonded Copper〉 DBC直接接合铜支架，将高绝缘性的 AI2O3或AIN 陶瓷支 架的单陎或双陎覆上铜金属后，经由高温 1065?1085 C的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩 散与AI2O3材质产生(Eutectic〉 共晶熔体，使铜金与陶瓷支架黏合，形成陶瓷复合金属支架， 最后依据线路设计，以蚀刻方式备制线路， DBC制造流程图如下图 2。RTCrpUDGiT BOO C defameJt此型* ■ftCeramicCeramsc 9去战 defame Jt此型* ■ ft Ceramic Ceramsc 9去战 Ce^Hiie Copper k欧尊 H2DBC製造流程圖 2-4 DPC (Direct Plate Copper〉 DPC亦称为直接镀铜支架，以暧司柏 DPC支架制程为例：首 先将陶瓷支架做前处理清洁，利用薄