第二章半导体器件V11.ppt

特性归纳 输入特性 电子科技大学中山学院 同二极管的正向特性 U BE ? ? I B ? 输出特性 放大区 一组曲线（一个 I B 对应一条曲线） U BE 0 ， U CE U BE 发射结正偏，集电结反偏 I C = ? I B 电流放大作用 U BE 0 ， U CE U BE 发射结反偏，集电结反偏 截止区 I B ≈ 0 ， I C ≈ 0 U BE 0 ， U CE U BE 饱和区 无电流放大作用 I C = ? I B 发射结正偏，集电结正偏 53 电子科技大学中山学院 I C (mA ) 4 3 100 ? A 80 ? A 60 ? A 40 ? A 20 ? A I B =0 12 U CE (V) 2 1 3 6 9 电子科技大学中山学院 2.4.4 主要参数 1. 电流放大倍数 直流电流放大倍数： 交流电流放大倍数： 两者非常接近，通常用作： 一般为 20 ~ 200 ___ ? ? I C I B ? ? ? I ? I C B ? ? ? 电子科技大学中山学院 ? 空间电荷区中没有载流子。 ? 空间电荷区中内电场阻碍 多子 （ P 中的 空穴、 N 中的电子） 的 扩散运动。 ? 空间电荷区中内电场推动 少子 （ P 中的 电子、 N 中的空穴） 的 漂移运动。 ? P 中的电子和 N 中的空穴（ 都是少子 ）， 数量有限，因此由它们形成的漂移电 流很小。 21 电子科技大学中山学院 2.1.3 PN 结的单向导电性 PN 结 加正向电压 （ 正向偏置） ： P 区接 电源的正极、 N 区接电源的负极。 PN 结 加反向电压 （ 反向偏置 ）： P 区接 电源的负极、 N 区接电源的正极。 22 PN 结正向偏置 变薄 － + + + + 电子科技大学中山学院 内电场被削弱， 多子的扩散加强 能够形成较大的 扩散电流。 － + _ N P － － 外电场 内电场 I 正 电子科技大学中山学院 PN 结反向偏置 变厚 － + + + + _ P － － － 内电场被加强，多 子的扩散受抑制。 少子漂移加强，但 少子数量有限，只 能形成较小的反向 电流，称为 反向饱 和电流 。 N + 内电场 外电场 I 反 24 归纳 PN 结的单向导电性 电子科技大学中山学院 ◆ 正向特性 P （ + ）， N （ - ），外电场削弱内电场，结导通， I 大； I 的大小与外加电压有关； ◆ 反向特性 I 反 的大小与少子的数量有关，与温度有关。 P （ - ）， N （ + ），外电场增强内电场，结不通， I 反 很小； 2.2 半导体二极管 5.2.1 基本结构 电子科技大学中山学院 PN 结 + 符号： 阳极 P VD 阴极 N 26 管壳和引线 电子科技大学中山学院 半导体二极管 27 电子科技大学中山学院 半导体二极管 28 半导体二极管 电子科技大学中山学院 电子科技大学中山学院 2.2.2 伏安特性 E I 反 很小，与温度 有关； U ? 击穿电 压，击穿导通； ? I ? ? 正向特性： I 死区电压 ： 导通压降 : 硅管 0.7V , 锗管 0.3V 。 I VD 硅管 0.5V , 锗管 0.1V 。 反向特性： E VD 反向击穿电 压 U (BR) U U 死区电压 ，不通； U 死区电压， 导通； U ?? I ? I 反 30 2.2.3 主要参数 1. 最大整流电流 I OM 电子科技大学中山学院 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 最大反向工作电压 U RM 二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压 。手册上给 出的最高反向工作电压 U RM 一般是 U BR 的一半。 3. 最大反向电流 I RM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流 。反向电 流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好 。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管 的反向电流较小