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第 2 章 习题答案 1. 概念题： （ 1）常温下， N 型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（ 有 ） P 型半导体在导电 时有电子载流子参与吗？（ 有 ） （ 2）在不加外电压时， PN 结内部有没有电子的运动？（ 有 ） 将 P 极和 N 极相连并 串接电流表会有电流指示吗？（ 无 ） （ 3）PN 结加正向电压时空间电荷区将变宽吗 （ 不是 ）P+ N 结加反向电压哪边将变得 更宽（ N 边 ） （ 4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（ 不一定 ）处于放大状态的晶体管，集电 极电流是多子漂移运动形成的吗？（ 是 ） （ 5）拿 2 个二极管可否组成 1 个三极管？（ 不行 ）三极管可否当二极管用？ （ 可以 ） （ 6）下列哪些元件为双极型器件？ （ A 、B ）哪些元件为单极型器件？ （ C、D） A. 二极管、稳压管 B. 三极管 C. 结型场效应管 D. MOS 管 （ 7）H 参数等效模型适合（ A、 C、 D ）。 A. 中低频电路 B. 高频电路 C. 小信号输入 D. 交流分析 （ 8）UGS＝ 0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ A 、C ）。 A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 （ 9 ）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是 电子和空穴都参与导 电 。 （ 10）二极管主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 最大整流电流 和 最大反向电压 。 （ 11）在常温下， 硅二极管的门槛电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降 约为 0.7 V ；锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V 。 （ 12）某稳压管具有正的电压温度系数， 那么当温度升高时， 稳压管的稳压值将 上 升 。 （ 13）将 3V 和 6V 的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到 5 种有效的 形式，等效稳压值分别为 3V 、 9V 、 3.7V 、6.7V 、 0.7 。 1 （14） PN 结具有结电容效应，凡用 PN 结组成的电子元件，在 信号频率 较高时 必须考虑这种效应。 （ 15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？ （ 需要 ）发光二极管在工作时要串联 一个电阻，否则 会因电流过大而损坏 。 （ 16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 U CB =0 ，截止 区和放大区的分界线标志为 I B=0 或 I C=I CEO 。 （17）当三极管工作在放大区时，两个 PN 结的特征是 发射结正偏、集电结反 偏 。 （ 18 ） 耗 尽 型 FET 管 输 出 特 性 曲 线 中 可 变 阻 区 和 恒 流 区 的 分 界 线 标 志 为 UGD =U GS(off)，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= U GS(off)；增强型 FET 管输出 特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 U GD=U GS(th) ，截止区和恒流区的分界线 标志为 U GS= U GS(th)。 （19） 在 0 |UGS||U GS(off) |， |UGD ||U GS(off) | 且二者同号的 前提下， JFET 管或耗 尽型 MOS 管工作在放大区。 （ 20）当 N 沟道增强型 MOS 管工作在放大区时，其外部管脚间的电压特征是 |UGS||U GS(th) ， |UGD||U GS(th) | 且二者同号 。 2．如图 2-64 所示电阻分压式电路，输入电压 ui 为正弦信号，峰值为 0～ 100V 。要求输 出 uo 为 0～ 5V ，输出阻抗小于 1k Ω，分压精度优于 1‰ ，请给出 R1、 R2 的阻值、功率和精 度。 R 1 + + u i R 2 u o _ _ 图 2-64 习题 2 电路图 解：根据输出阻抗要求，选 R2 =1k Ω，则 R 1=19k Ω；因功率为（ 0.707*50 ）2/20=62mW, 故电阻功率选 1/4W ；有风压精度要求， 选电阻的精度等级为 0.05% 。 3． 如图 2-65 所示，电路输入 u 为 220 V、 50Hz 交流电压，断开电容 C 画出 u 、 u 对 i i o 应波形；如果把 C 接入，请分析 uo 波形的变化， 并说明对 C 有何作用？如何选择其何参数？ D 解： + + 提示：断开 C 时，为单向整流； u i C R u o 接入 C 时为整流滤波电路， _ _ C 的耐压大于 250V 图 2-65 习题 3 电路图 （波形略） 2 4．电路如图 2-66 所示， ui 为 127V 、 400Hz 交流电压，画出 ui 和 uo 对应波形。