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单晶制绒工艺培训 LIGHT OUR FUTURE 阳光照亮 工艺部 主要内容 ≡制绒目的 ≡制绒原理 ≡RENA制绒工艺流程 ≡工艺常见问题以及解决方法 ≡制绒工序岗位职责 ≡注意事项 制绒目的 消除表面硅片表面有机沾污(HF)和金属杂质(HCL) 去除硅片表面的机械损伤层,减少表面复合中 在硅片表面形成绒面,增加太阳光的吸收减少反射,增加PN结面 积,提高短路电流(lsc),最终提高电池光电转换效率 绒面不仅仅是腐蚀坑洞,也是改善表面态的有效手段,绒面制作不 好表面态难以补偿,悬挂键大幅度增加,少子寿命复合严重,lsc的提 高几乎不可能 多晶硅切割过程 层切 约己微 米 割过程中会形成机械损伤 陷光原理 光在光滑半导体薄片表面 陷光原理图 上的反射、折射和透射 当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成 二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。 在绒面硅片上制成PN结太阳电池,它有以下特点: 绒面电池比光面电池的反射损失小,如果再加减反射膜,其反射率可 进一步降低。 入射光在光锥表面多次折射,改变了入射光在硅中的前进方向,不仅 延长了光程,增加了对红外光子的吸收,而且有较多的光子在靠近PN 结附近产生光生载流子,从而增加了光生载流子的收集几率 三在同样尺寸的基片上,绒面电池的PN结面积比光面大得多,因而可以 提高短路电流,转换效率也有相应提高 三绒面也