半导体单晶和薄膜制造技术概述.pdf

半导体单晶和薄膜制造技术概述 技术创新，变革未来 4.1 半导体单晶的制造 • 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸 （450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成 本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体 生长方法的不同，分为直拉法（CZ ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、 区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅 主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶 体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器 件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、 节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片 主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ ）单晶硅材料应用最广。在IC工 业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光 片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造 中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。