高气压下不均匀电场气体击穿发展过程与规划.ppt

高气压下不均匀电场气体击穿的发展过程和规划;;1.4.2 极不均匀电场气体电晕放电;电晕放电 ; 电晕放电;电晕：在110kV以上的变电所和线路上，时常能听到“陛哩”的放电声和淡蓝色的光环，这就是电晕。;电晕放电形式 ①电子崩形式：起晕电极曲率很大时，电晕层很薄，且比较均匀，放电电流稳定，自持放电是汤逊形式。 ②流注形式：电压升高，电晕层扩大，个别电子崩形成流注，出现放电的脉冲现象，转入流注形成电晕放电。 声、光、臭氧、电流;;电晕放电极性效应;科学研究;2.空间电荷的作用;②电子运动至稍远离尖电极处，形成与原电场相反的电场，原电场衰减，电子速度下降，易被气体分子捕获形成负离子，造成负空间电荷的积累。;③正电荷逐渐在负极中和，负空间电荷积累，削弱了尖端处场强，电离停止 （脉冲）;负空间电荷向外疏散，尖电极处场强重新增大， 开始下一次电离。 （电压高疏散快—脉冲频率高）;3.电晕的起始电压与起始电场;经验公式;数学模型;输电线电晕损耗功率与导线电压的关系;电晕放电的影响;电晕损耗 ; 分裂导线;; 分裂导线;1.4.3 极不均匀电场的极性效应与长间隙放电; 极性效应;;;(1)起始电晕电压不同 棒正极性： （a）间隙中电子向棒运动，进入强场区，引起电离现象而形成电子崩;（b）电压上升，到放电达到自持、爆发电晕之前，形成相当多电子崩，电子崩进入棒极，正离子留在空间，缓慢向板极移动，棒极附近，积累正空间电荷，减小了紧贴棒极的电场，加强了外部空间的电场。;（c）棒极附近电场被削弱，难以造成流注—使自持放电，即电晕放电难以形成。;棒负极性;(b)电子崩电子离开强场区，不能再引起电离，慢走向阳极运动，部分消失于阳极，其余为氧原子吸附形成负离子，正离子向棒极运动，消失于棒极，速度慢，棒极附近总有正电荷，正荷集中，负荷分散。;(c)负电荷浓度小，对外电场影响不大，正电荷使电场畸变—棒极附近电场增加，自持放电易于满足，易入转入流汪而形成电晕放电。;(2)间隙击穿电压不同; ①棒正极性，电压足够高，棒极附近形成流注—等离子体 （不利于，但电压高），;易???产生新的电子崩，电子被吸引入头部正电荷区，加强并延长了流注通道。;流注和头部正电荷使强场区向前移，曲线3，棒极向前伸，流注发展，向阴极推进。;②棒负极性：棒附近易形成流注，产生电晕，但其后流注的发展困难，电晕起始后，棒极强电场使得同时产生了大量电子崩，造成扩散状分布的等离子体层，等离子体层增大了棒极曲率半径—前沿电场削弱 ;继续升高电压，电离在等离子层外沿发展，逐渐扩大延伸。电压很高才形成电子崩---二次电子崩，由于扩散 慢——负极性下通道发展困难，击穿电压高。;负极性：通道发展困难，击穿电压高 正极性：通道发展容易，击穿电压低;2.长间隙击穿过程;高压、超高压和特高压输电中，如何决定架空线路和变电所的空气绝缘距离 --------重要课题。 ;长间隙击穿 ; 放电过程： 正极棒出现电晕----发展成先导---先导前端有流注----短时间的休止---第二次先导放电。 ;长间隙:一般指数米或十数米的放电间隙 长间隙的击穿电压主要靠试验方法决定， 需要规模很大的试验设备，费用很高。;中国电力出版社 1998年3月 马乃祥;先 导; ;流注理论 ;（1）先导放电： 间隙距离较长(1m),流注通道还不足以贯通整间隙的情况下，仍能发展起击穿过程---流注发展到足够长后，有较多的电子循通道流向电极，根部电子最多，温度升高，出现热电离过程. 这个具有热电离过程的通道称为先导通道。;正先导的形成 流注mk中电子被阳极吸引，当电子浓度高--有足够电流时,通道中开始热电离，引起通道中带电质点浓度增大，流注通道变成高电导的等离子体通道—先导mk， mk头部进一步产生新的流注nm，先导不断向前推进，——相当于电极伸出的导电棒—端部高场强，形成新的流注：;长间隙：平均E=1-2KV/cm,放电就发展，间隙越长 E越小， 先导电流几百A 均匀电场E=30KV/cm; 负先导 自己读;长间隙放电，路径多分支;（2）主放电;长间隙放电= 先导放电（电子崩、流注/光、热电离） +主放电 短间隙放电 = 电子崩 + 流注 + 主放电; 对放电发展过程快速照相： 开始时，先在正极棒出现电晕，然后发展成先导，先导前端有流注，中间经过短时间的休止后，又重新发生第二次先导放电。这样重复出现，不断进行。先导每次发展都在增长，接近板极时，发展特别快，并迅速使间隙击穿。　　;1.4.4稍不均匀电场的自持放电条件与极性效应