耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制综述.docxVIP

耐高温 SOI 结构压力敏感芯片的研制 引言高温压力传感器是一类使用环境特殊的压力传感器，广泛用于航空航天、石油化工、汽车和兵器工业等领域高温环境下的压力测量。如何研制适宜 高温环境下应用的压力传感器一直备受关注。单晶硅SOI 结构耐高温压力传感 器的敏感电阻做在绝缘层上，通过绝缘层实现电阻间的电气隔离，解决了 pn 结隔离压力传感器工作温度高于 125℃时的失效问题，可以有效改善 pn 结隔离引 起的非线性问题 [4] 。此外， SOI 结构压力传感器不易受光、电磁和 ESD干扰 1 引 言 高温压力传感器是一类使用环境特殊的压力传感器，广泛用于航空航天、石油化工、汽车和兵器工业等领域高温环境下的压力测量。如何研制适宜高温环境 下应用的压力传感器一直备受关注。单晶硅 SOI 结构耐高温压力传感器的敏感 电阻做在绝缘层上，通过绝缘层实现电阻间的电气隔离，解决了 pn 结隔离压力 传感器工作温度高于 125℃时的失效问题，可以有效改善 pn 结隔离引起的非线 性问题 [4] 。此外， SOI 结构压力传感器不易受光、电磁和 ESD干扰，同时与 pn 相关的噪声被排除，这些有利于提高传感器的稳定性和可靠性。 本文在 SIMOX技术商用 SOI 晶圆的基础上，设计耐高温 SOI 结构压力敏感芯片的结构，基于 MEMS工艺制作敏感芯片，并在高温条件下对封装后的传感器进行静态测试。 高温压力传感器芯片设计与制作 同常规扩散 Si 压力传感器相比，单晶硅 SOI 结构高温压力传感器芯片设计与制作的不同点体现在晶圆材料和电极引线上。制备 SOI 材料的主流技术包括氧离子注入形成埋层 (SIMOX)技术、硅片键合背面腐蚀 (BFSOI)技术和智能剥离 (smart-cut) 技术等。为保证工艺的重复性，本文采用新傲公司 SIMOX技术制作的商用 p 型 SOI 晶圆，顶层硅厚度为 230 nm，晶圆厚度为 500μm。 传感器芯片采用方形膜片结构，依据有限元分析结果，设计敏感电阻在膜片上 所处位置，如图 1 所示。 R1和 R3沿(110) 晶向排布，利用纵向压阻效应， R2和 R4也沿 (110晶向排布，利用横向压阻效应， 4 个电阻接成惠斯登电桥结构，电 路设计为半开环形式，以方便零点漂移和灵敏度漂移的补偿，采用 1 mA 恒流源供电。这种设计方案利用了纵向和横向压阻效应， p-Si110 晶向纵向压阻系数为正值，横向压阻系数为负值，实现了膜片受压后电桥上电阻△ =Ri／ Ri(i=1 ， 向正向变化，另两个电阻△ Ri ／ Ri(i=2 ，4) 向负向变化，从而产生输出电压。