实验四模拟CMOS子电路剖析.pptVIP

归量大学 S1 NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY 模拟CMOS子电路分析 计算机学院甘波  目标 、分析MOS开关的|-特性及导通电阻特性。 2、对电流镜的误差比进行分析。 3、对以电流镜作为负载的放大器进行输入偏置电 平及小信号增益的分析。  作业: 参照书中图4.1-3与图4.1-4,对NMOS管用作开 关时的|-V特性以及导通电阻进行分析。 参照下图,分析该MOS开关中导通电阻与电压VAB 的关系。(W/L1,2=10/1,VDD=2V、3V、4V 5∨。 MI B DD VAB luA M2  作业: 参照书中图4.4-2,对下图中电流镜误差比进行分 析。W/L1,2=10/1,VDD=5V, 00uA。 MI VGS  作业: 设计一款以电流镜为负载的放大器(包括但不限于共 源极放大器),并通过仿真分析得出放大器的输入 偏执电平、低频增益以及-3db频率值 丶改变电流镜的输入电流(增大与减小10倍),重新 执行上一步的分析并进行对比。 丶改变电流镜管宽长比(增大与减小10倍),重新执 行上一步的分析并进行对比。  END