protues仿真DS18B20温度控制.docVIP

电路图 仿真图 温控范围25到35度之间 源程序 #includereg51.h //包含单片机寄存器的头文件 #includeintrins.h //包含_nop_()函数定义的头文件 #include absacc.h #include math.h sbit DQ=P1^1; sbit jdq=P1^0; sbit dot=P2^7; unsigned char code xiaoshu[]={0xc0,0xc0,0xf9,0xf9,0xa4,0xb0,0xb0,0x99,0x92,0x92,0x82,0xf8,0xf8,0x80,0x80,0x90}; char duan[4]={0,0,0,0}; unsigned char code weikong[]={0x01,0x02,0x04,0x08,0x10,0x20}; unsigned char code table[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0, 0x99,0x92,0x82,0xf8, 0x80,0x90,0x88,0x83, 0xc6,0xa1,0x86,0x8e}; int bai,shi,ge,flag=0,i; unsigned char temp; unsigned char TL; //储存暂存器的温度低位 unsigned char TH; //储存暂存器的温度高位 unsigned char TN; //储存温度的整数部分 unsigned int TD; //储存温度的小数部分 void delay1ms() { unsigned char i,j; for(i=0;i10;i++) for(j=0;j33;j++) ; } void delaynms(int n) { unsigned char i; for(i=0;in;i++) delay1ms(); } unsigned char time_DS18B20; //设置全局变量，专门用于严格延时 bit Init_DS18B20(void) { bit flag_DS18B20; //储存DS18B20是否存在的标志，flag=0，表示存在；flag=1，表示不存在 DQ = 1; //先将数据线拉高 for(time_DS18B20=0;time_DS18B202;time_DS18B20++) //略微延时约6微秒 ; DQ = 0; //再将数据线从高拉低，要求保持480~960us for(time_DS18B20=0;time_DS18B20200;time_DS18B20++) //略微延时约600微秒 ; //以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲 DQ = 1; //释放数据线（将数据线拉高） for(time_DS18B20=0;time_DS18B2010;time_DS18B20++) ; //延时约30us（释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲） flag_DS18B20=DQ; //让单片机检测是否输出了存在脉冲（DQ=0表示存在） for(time_DS18B20=0;time_DS18B20200;time_DS18B20++) //延时足够长时间，等待存在脉冲输出完毕 ; return (flag_DS18B20); //返回检测成功标志 } unsigned char ReadOneChar( ) { unsigned char i=0; unsigned char dat; //储存读出的一个字节数据 for (i=0;i8;i++) { DQ =1; // 先将数据线拉高 _nop_(); //等待一个机器周期 DQ = 0; //单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序 dat=1; _nop_(); //等待一个机器周期 DQ = 1; //将数据线人为拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备 for(time_DS18B20=0;time_DS18B203;time_DS18B20++); //延时约6us，使