基于LTCC工艺的设计规范总结.docx

基于LTCC工艺的设计规范总结 1材料特性 特性 相关参数值 1 ?相对介电常数Er： 5.9 ±.2@(1~100GH) 2.介质损耗角正切： 0.002 @ (1~100GHz) 3.电阻率： 12 10 at 100DVC Q 5.层数： 最多30层 6.每层层厚： 0.1mm 7.导体厚度： 0.01mm 8.孔径： 最小直径 0.1mm 可选 6mil 8mil 10mil 12mil 9.密度:Density 3.2g/cm3 10.镀金属： 铜（Cu）顶层：嵌入其中，中间层：上下各嵌入 50% 过孔镀银（Ag） 11.基板尺寸（最大） 105mr^ 105mm 12.生瓷片精度 横向平面精度：±5um 众向生瓷精度：±0um 2.导体线宽和间距 ? ? A i i ■ ? B 丿 I A C See Note 建议尺寸 最小尺寸 LTCC CLASS A B c A B c POD/POC 5 mils 7 mils 5 nils 3 mils* 4 mils* 3 mils* Low Volume 6 a 6 4 5 4 Production 10 10 10 8 3 8 A B C 顶层 45um 45um 45um 内层 100um 100um 100um Note:可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路 问题 相关参数： 网印最小线宽/间距100um/100um 直描最小线宽/间距50um/75um 蚀刻最小线宽/间距45um/45um 3.导体到基板边缘的间距/和腔体间隙 Substrate 01艸 口 edge Dim. A or 推荐尺寸 最小尺寸 LTCC CLASS A SURFACE B BURIED RF GROUNDSJ A SURFACE B BURIED RF GROUND1 POD! PQC 10 mils 1U nul 5 IQ mils 5 Ellh 5 Eilh To edge1 Low Volume 10 mils 10 mk 1Q mils 5 mils* 5 mils* -mis* Production 15 mils J mils mils 10 mils I0 mils 10 mils 4.电气过孔 214 的可选通孔直径为：6mils、8mils、10mils、12mils 互连通孔最小直径：0.1mm 5.同层通孔间距  LTCC CLASS Afmin.) BLrriin.) POOZ POC 2.5 x Via size 2 5 x Via size Low Volume 3 x Via siie 3 x Via ize Production 3 X Via size 3 x Via size A 一般取3倍于孔径尺寸 注意：散热和RF通孔排除在此标准外 相关参数：互连通孔最小节距：0.3mm 6.过孔托盘 除非密集布线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连）7.基板边缘电气通孔LTCC CLASSA (min.)PODf POC1 mils 除非密集布 线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连） 7.基板边缘电气通孔 LTCC CLASS A (min.) PODf POC 1 mils Low Volume 2 mih Produccion 4 mils LTCC CLASS A (minJ POD/ POC 3 Via diameten (18 mils mmimum) Low Volume 4 Via diameters C25 mils minimum) Production 4 Via diameters (25 mils minimum) A值推荐3?4倍于通孔直径，最小为18?25mil 8器件安装处通孔分布 当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。 Catch Pad0■画■丄■* 0:?：?：?：?〉：?：?：?q????w』???000000￡?1^1Bondirg PadDie Pad Catch Pad 0 ■画■丄■ * 0 :?：?：?：?〉：?：?：? q????w』??? 000000￡? 1^1 Bondirg Pad Die Pad 层与层直接的电气通孔之间的交错连接：通孔采取垂直方向的交错( Z字型)， 以使传送通道(routing channels )的圭寸闭(blockage)降到最小,并减小通孔的 “加速效应” (posting effect )。以下是交错通孔技术的示例： LTCC 匚LASS A (min J POD/POC 一丁佯 rr Low Volume 11 Via di-ameter Production 1 Via diameter