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{生产工艺技术}集成电路工艺原理相关试题  一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。 单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。 CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 氧化 二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工