实验55PN结正向电压温度特性的测定0.docxVIP

大学物理实验教案 实验名称：PN结正向电压温度特性的测定 1实验目的 1） 了解PN结正向电压随温度变化的基本规律。 2） 掌握用计算机测绘恒流条件下 PN结正向电压随温度变化的关系曲线。 3） 确定PN结的测温灵敏度。 2实验仪器科学工作室接口、放大器、恒流源、计算机 3实验原理 3.1实验原理 PN结是半导体器件的核心。在 P （或N ）型半导体中，用杂质补偿的方法将其中一部分材料转变成 N （或P）型，这样，在两种材料交界处就形成了 PN结，它保持了两种材料之间晶格的连续性。 P区多子空 穴比N区少子空穴浓度大，空穴由 P区向N区扩散，并与 N区的多子自由电子复合，在 N区产生正离子 的电荷区；N区多子自由电子比 P区少子自由电子浓度大， 自由电子由N区向P区扩散，并与P区的多子 空穴复合，在P区产生负离子的电荷区。 P区和N区的电荷区之间形成电场，在此电场作用下产生与扩散 运动相反的情况，它阻止扩散运动的进一步加强。最终形成两种运动的动态平衡。我们把这个空间电荷区 叫PN结，有时也叫作耗尽层。根据半导体理论，通过 PN结的正向电流 qV (1)I f = I s ekT (1) 式中：1 fk正向电流（mA ）; Vf ――正向压降（V）; Is ――反向饱和电流（mA）; q电子电量（e）; 波尔兹曼常数；T 式中：1 f k B qVgo而 lsT B qVgo 而