在TFT-LCD_工艺制程简介.docxVIP

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  • 2020-12-31 发布于天津
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上海天马微电子有限公司企业标准 上海天马微电子有限公司企业标准 上海天马微电子有限公司企业标准 上海天马微电子有限公司企业标准 上海天馬微電子有B陶司 SHANGHAI IIANMA M IC R OE L E C TROW I CsQ/S D. 上海天马微电子有限公司企业标准 Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 版 号: 1.0 总页数:_^3 制定部门: 制造部 生效日期:2007年4月28日 拟 制: 方永学2007-4-3 审 核: 向传义2007-4-3 标准化: 吴乃亮2007-4-25 会 签: 颜建军 朱希玲2007-4-20 蔡明宏2007-4-24 凌志华2007-4-3 批 准: 安德浩2007-4-24 2007-04 发布 2007-04 实施 上海天马微电子有限公司发布 TFT 工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 Q/S0001-2007 第 2 页共 23 页 更改状态 更改内容 更改人 更改日期 一.TFT工艺流程中英文标准名称 Array Process Flow 阵列段工艺流程 In put 投料 Un pack ing 拆包装 In itial clea n 预备清洗 Particle cou nt 尘埃粒子测试 Gate 栅电极层 Clea n before depo 成膜前清洗 Gate (Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜 RS meter 电阻测量 Macro In specti on 宏观检查 Clea n before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coati ng 光刻胶涂布 PR vacuum dry(VCD) 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Titler Expose/Edge Expose 打标/边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac In spection 宏微观检查 CD after develop 显影后关键尺寸检查 Total pitch 长寸测量 Gate Wet etch 栅电极湿刻 Con tact an gle 接触角测量 PR strip 光刻胶剥离 CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量 AEI 刻蚀后自动光学检查 Micro/Macro In specti on 宏微观检查 Laser Repair 激光修补 上海天马微电子有限公司企业标准TFT 工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 上海天马微电子有限公司企业标准 TFT 工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 上海天马微电子有限公司企业标准TFT 工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 上海天马微电子有限公司企业标准 TFT 工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 Q/S0001-2007 第 3 页共 23 页 Active 层 Clea n before depo 成膜前清洗 Active film depo Active成膜 AOI 自动光学检查 Macro In specti on 宏观检查 Thick ness Measureme nt 厚度测量 Clea n before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coati ng 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac In spection 宏微观检查 Active film Dry etch Ashi ng Active膜干刻与灰化 Thick ness Measureme nt 厚度测量 PR strip 光刻胶剥离 AEI 刻蚀后自动光学检查 Mic/Macro In specti on 宏微观检查 S/D 源/漏电极层 Clea n before depo 成膜前清洗 S/D Mo film depo 源/漏电极成膜 RS meter 电阻测量 MACRO In spection 宏观检查 Clea n before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coati ng 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Edge expose 边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 MIC/MAC In spection 宏微观检查 CD after develop 显影后关键尺寸检查 Hard

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