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第5章 场效应管及其基本放大电路 ;5.1 场效应管;N沟道;N;P 沟道结型场效应管;二、工作原理（以N沟道为例）;漏源电压VDS对iD的影响;4.1.2 伏安特性曲线及参数;可变电阻区;可变电阻区;2、转移特性曲线;结型场效应管的特性小结;5.1 金属-氧化物-半导体场效应管;5.1.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管NMOS;VGS;VGS;2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响; 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。;MOSFET的特性曲线;2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性;增强型MOS管特性小结;耗尽型MOSFET;??尽型MOSFET的特性曲线;场效应三极管的参数和型号;4. 输入电阻RGS;绝缘栅
增强
型;场效应管与晶体管的比较;耗尽型;4.4 场效应管放大电路; 及 VDS= VDD－ID(R+Rd )
联立可以解出VGS、ID和VDS。;4.4.2 小信号模型分析法;2.用小信号模型进行交流分析;uo;uo;ri;输出电阻 ro
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