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Chap 3 扩散工艺Difussion; 掺杂技术就是将所需要的杂质，以一定的方式（合金、扩散或离子注入等）加入到硅片内部，并使其在硅片中的数量和浓度分布符合预定的要求。 利用掺杂技术，可以制作P-N结、欧姆接触区、IC中的电阻、硅栅和硅互连线等等。;掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。;基本概念;1、结深的定义 xj : 当 x = xj 处 Cx（扩散杂质浓度）= CB（本体浓度） ;2、薄层电阻 RS（sheet resistance）;方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。;物理意义： 薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量 q 电荷，? 载流子迁移率，n 载流子浓度 假定杂质全部电离 载流子浓度 n = 杂质浓度 N 则： Q：从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量 ; 合金法是早期产生半导体器件常用的形成p-N结的方法。自从硅平面技术问世以后，合金法已经被扩散法取代了。扩散技术是一种制作P-N结的好方法。随着集成电路的飞速发展，扩散工艺已日臻完善，其设备和操作也大多采用电子计算机进行控制了。; 扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。 集成电路制造中的固态扩散工艺，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。 ; 扩散是向半导体中掺杂的重要方法之一，也是集成电路制造中的重要工艺。 目前扩散工艺已广泛用来形成晶体管的基极、发射极、集电极，双极器件中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、互连引线，对多晶硅的掺杂等。 ; 离子注入是目前VLSI优越的掺杂工艺。就目前我国生产集成电路来看，离子注入不能说完全代替了扩散工艺，但至少许多原来由扩散工艺所完成的加工工序，都已经被离子注入取代了，这是时代发展的必然结果。 ;§3.1 杂质扩散机构;;3、间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6~1.2ev。 4、间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置上。 5、跳跃率：Pi=v0e-wi/kT 温度升高时Pi指数地增加。 振动频率?0＝1013～1014/s 6、Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 7、扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级;二、替位式扩散 1、替位杂质：占据晶格位置的外来原子。 2、替位式扩散：替位杂质从一个晶格位置到另一个晶格位置上。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较容易地运动到近邻空位上。运动如下图所示。 3、替位杂质运动比间隙杂质更困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。 4、跳跃率Pv=v0e-(Ws+Wv)/kT Wv表示形成一个空位所需能量。 ;; Ⅲ、Ⅴ族元素； 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行； 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层。 ;§3.2 扩散原理（即扩散系数和扩散方程）; ;费克第二定律 —浓度、时间、空间的关系;费克第二定律;二. 扩散系数;1.扩散系数与温度有关：如上图;2. 扩散工艺激活能?E，? 间隙扩散物质：如He, H2, O2, Au, Na, Ni, Cu, Fe。?E在0.2～2.0eV之间? 替位扩散物质：如B, As, P, Sb?E 在 3～4 eV之间