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acceptancetesting(WAT: wafer acceptancetesting) 3. ACCESS: —个 EDA ( Engin eeri ngDataA nalysis)系统 6. A lign mark (key)： 对位标记 Ammonia 氨 Ammonium fluoride氟化铵 Ammonium hydroxide氢氧化铵 Amorphous silico n: aSi,非晶硅(不是多晶硅) Analog: 模拟的 Angstrom Anisotropic：各向异性(如 POLY ETCH AQL(AcceptanceQualityLevel): 接受质量标准， 在一定采样下， 可以95%置信度通过 质量标准(不同于可靠性， 可靠性要求一定时间后的失效率) A RC(A ntireflective coati ng):抗反射层(用于 METAL 等层的光刻) Antimony(Sb)锑 22. Arsine Aspect ration :形貌比(ETCH中的深度、宽度比) Auto doping：自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到 外延层) 28. Benchmark :基准 30. Boat:扩散用(石英)舟 32. Character window :特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 36. CIM : computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一 种综合方式。 Compensation doping 补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。 CMOS : compleme ntary metal oxide semico nductor 的缩写。一种将 PM OS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 Computer-aided design(CAD) 计算机辅助设计。 Conductivity type 传导类型， 由多数载流子决定。 在 N 型材料中多数载流子是电子， 在P型材料中多数载流子是空穴。 Contact 孔。 在工艺中通常指孔 1， 即连接铝和硅的孔。 Controlchart 控制图。 一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 Correlation 相关性。 Cp 工艺能力， 详见 processcapability。 Cpk 工艺能力指数，详见 processcapabilityindex。 Cycletime 圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。 Damage 损伤 。 Defect density 缺陷密度。 单位面积内的缺陷数。 Depletion implant 耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。 (耗 尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。 ) Depletion layer 耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 Depletion width 耗尽宽度。 Depth of focus(DOF) 焦深。 design of experiments(DOE) 为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果 的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 developer: I )显影设备；n )显影液 diborane(B2H6):乙硼烷， dichloromethane(CH2CL2):二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。 dichlorosilane(DSC):二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解 的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。0 die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向 上的部分划片槽区域。 dielectric： I )介质，一种绝缘材料； diffused layer:扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域 形成与衬底材料反型的杂质离子层。 disilane(Si2H6):乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰， 暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 drive-in effective layer thick ness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅 锭前端的深度。 EM : electromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自 扩散过程。 epitaxial layer:夕卜延层。 feature size:特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 field-effec