固体物理学：第四章　能带理论基础.pptVIP

第四章　能带理论基础 　　能带理论是目前研究固体中电子运动的主要理论基础，是在上世纪初量子理论确立之后，在用量子力学方法研究金属电导理论过程中开始发展起来的。 最初的成就在于定性地阐明了晶体中电子运动的普遍性特点，例如说明了固体为什么会有导体、绝缘体。 特别值得一提的是，恰好在这个时候半导体开始在技术上应用，能带论正好提供了分析半导体理论问题的基础，有力地推动了半导体技术的发展。 到五六十年代，由于实验工作的重大发展，提供了大量的实验数据，而且由于大型高速计算机的应用，使能带理论的研究从定性的普遍规律发展到对具体材料复杂能带结构的计算。 除Si、Ge第一代半导体外，相继发展了GaAs、InP等第二代半导体和GaN、ZnO等第三代半导体。 6.1 能带理论的基本假设 　　固体实际的晶体都是由大量的电子和原子核组成的多粒子体系，而且电子与电子，电子与原子核、原子核与原子核之间存在着相互作用，因此，要获得电子的运动状态，必须求解多粒子体系的薛定谔方程 　　　一、绝热近似－－把电子系统与原子核分开考虑的处理方法 　　 由于电子质量m远小于原子核质量，电子速度远大于原子核的速度，因此在考虑电子的运动时，可以认为原子核是不动的。因此，可以认为电子是在原子核产生的，固定不动的势场中运动的粒子。 因为在结合成晶体时，价电子状态的变化最大，而内层电子状态变化最小，所以可以把内层电子和原子核看成一个离子实，离子实总是围绕其平衡位置做微小振动，但在零级近似下，晶格振动的影响可以忽略，价电子可以看做是在固定不动的离子实势场中运动，这样一个多粒子问题就简化为多电子问题。 　　二、平均场近似 　　多电子系统的薛定谔方程仍不能精确求解，因为每一个电子的运动不仅与其自身的位置有关，而且还与所有其它电子的位置有关。为了进一步简化，可以用一种平均场来代替价电子之间的相互作用。即假定每一个电子所处的势场均相同，从而使每个电子与其它电子之间的相互作用势能仅与该电子的位置有关，而与其它电子的位置无关，引入势能函数 　　在上述近似下，每个电子都处在同样的势场中运动，用　　表示第i个电子的哈密顿算符 6.2 周期性势场中单电子状态的一般性质 一、布洛赫定理 　　布洛赫指出，处于周期性势场作用下的电子，其波函数被晶格周期性势场所调制，将变成由一个周期性函数所调制的平面波。 　　布洛赫定理：对于周期性势场 二、布洛赫定理的证明 　　布洛赫定理也可表示为 平移任意晶格矢量　　　　　　　　　　　　　 可以看成是T1,T2,T3分别连续操作m1,m2,m3次的总的结果。 (2) 在晶体中单电子的哈密顿量 具有晶格周期性。因为 而　　　　　　　　　　　　　　　　中变量改变 一个常数值，结果不变。 则 三、能带结构 　2. 能带性质 　(1) 对于任一能带，其能量与波函数在k空间均具有对称性。 　　　　3. 能带中电子态的数目 　　能量与波函数都是k的周期函数，在倒易空间具有倒格子的周期性。第n个能带中波矢为k+G的电子态与波矢为k的电子态相同．即k空间中许多点对应同一个本征态，为了使k能一一对应地表示本征态，必须把k限制在一个区域内，区域内的全部波矢代表了第n个能带的所有电子态，区域外的波矢可以通过平移一个倒格矢而在区域内找到一个对应的状态。 　　　该区域一般选择简约布里渊区，电子态的数目为 　　考虑电子的自旋，每个能带共有2N个电子态，可以容纳2N个电子。 　　适用于弱的周期势场，如Na,K,Al等简单金属的能带的简单讨论。以一维情况为例。 体心立方的倒格子为面心立方 ．倒格子的晶格常数为 z z y x Γ点(0,0,0) (２π/a, ０, ０) 带宽 例３. 面心立方晶格中由原子s态形成的能带。 　　12个紧邻格点坐标为 倒格子点阵晶格常数为 Γ点(0,0,0) (２π/a, ０, ０) 三、原子能级和能带 　当原子相互接近组成晶体时，原来孤立的原子能级，由于 原子之间的相互作用而分裂成一个能带，能带宽度由不同原 子波函数的交叠积分所决定，原子间的距离越小，交叠积分 越大，能带宽度越大。 　当只考虑不同格点相同原子态之间的相互作用，原子能级和能带之间存在对应关系。当考虑不同原子态之间的相互作用，能带和原子能级之间就不存在一一对应的关系。 四、瓦尼尔(Wannier)函数 在紧束缚近似中，能带中的电子波函数可以写成原子波函数 的布洛赫和 对于任何能带，布洛赫函数都可以写成类似的形式 其中　　　　　称为瓦尼尔函数，作逆变换得 瓦尼尔函数在讨论电子空间局域问题时是比较有用的工具。 作业：试用紧束缚近似求一维格子和二维正方格子