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哈尔滨理工大学 软件学院 课程设计报告 课 程 大三学年设计 题 目 带隙基准电压源设计 专 业集成电路设计与集成系统 班 级 集成 10-2 班 学 生 唐贝贝 学 号 1014020227 指导老师 董长春 2013 年 6月 28日 0 目 录 . 程 目描述和要求 ???????????????? 二. 程 告内容 ??????????????????? 2.1 程 的 算 程 ???????????????? . 2.2 隙 基准的基本原理 ?????????????? . 2.3 指 的仿真 果 ???????????????? . 2.4 网表文件 ????????????????????? .心得体会 ??????????????????????? 四．参考 目 ?????????????????????? . 1 一． 课程设计题目描述和要求 1.1 电路原理图： (1).带隙基准电路 (2).放大器电路 2 1.2 设计指标 放大器：开环增益：大于 70dB 相位裕量：大于 60 度 失调电压： 小于 1mV 带隙基准电路：温度系数小于 10ppm/ C 1.3 要求 1手工计算出每个晶体管的宽长比。 通过仿真验证设计是否正确， 是否满足 指标的要求，保证每个晶体管的正常工作状态。 2使用 Hspice 工具得到电路相关参数仿真结果， 包括：幅频和相频特性 （低频增益，相位裕度，失调电压）等。 3每个学生应该独立完成电路设计， 设计指标比较开放， 如果出现雷同按不 及格处理。 4完成课程设计报告的同时需要提交仿真文件，包括所有仿真电路的网表， 仿真结果。 5相关问题参考教材第六章，仿真问题请查看 HSPICE 手册。 二. 课程设计报告内容 由于原电路中增加了两个 BJT 管，所以 Vref 需要再加上一个 Vbe，导致最 后结果为 M (ln n) 8.6 ，最后 Vref 大概为 1.2V，且电路具有较大的电流， 可以驱动较大的负载。 2.1 课程设计的计算过程 1 M8，M9 ， M10，M11，M12 ，M13 宽长比的计算 设 Im8=Im9=20uA (W/L)8=(W/L)9=20uA 为了满足调零电阻的匹配要求，必须有 Vgs13=Vgs6 -因此还必须满足 (W/L)13=(Im8/I6)*(W/L)6 即(W/L)13/(W/L)6=(W/L)9/(W/L)7 取(W/L)13=27 取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=27 因为偏置电路存在整反馈，环路增益经计算可得为 1/(gm13*Rb)，若使环路 3 增益小于 1，知 (W/L)12/(W/L)13 4 故取 (W/L)12=4*(W/L)13=107 2取 CL=2pf 3为了满足 60DB 的相位裕度的要求： Cc 0.22CL=0.44pf 由于设计需求取 Cc=4pf 4为了版图中的对称性去 I5=53uA ，I6=107uA 5单位增益带宽 11MHz UGB=gm1/Cc=11MHz*2 π 又 gm6/CL=2.2*UGB=24MHz*2 π 计算得 gm1=44us gm6=48us 取 gm1=69us gm6=55us 6为了消去零点，即将零点移至无穷远处，则调零电阻满足以下公式： gm6*R2=1 得 R2 = 1.44k 7M1 与 M6 宽长比的计算 由 gm1=[2Kp(W/L)1*I1]^0.5 取(W/L)2=(W/L)1=20 由 gm6=[2Kn(W/L)6*I6] ^0.5 取(W/L)6=107 8M3， M4 ，M5 ，M7 宽长比的计算 假设过驱动电压 Vov=0.2v I3=I4=0.5Kn （W/L ） Vov*V ov 取 (W/L)3=(W/L)4=27 由偏置电流源与电流的比例关系得： (W/L)5=53 (W/L)7=107 9由 Vgs13=Vgs12+Im8*Rs Vgs=错误！未找到引用源。 得 Rs=3.2k 2.2 带隙电压基准的基本原理 V V 带隙电压基准的基本原理 ： 0 T T 4 基准电压表达式 ： VREF V V V+,V-的产生原理： （1）利用了双极型晶体管的两个特性： 基极 -发射极电压（ VBE ）电压与绝对温度成反比 在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极 -发射极电压的差值（ VBE ）与绝对温度成正比 （2）双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心 负温度系数电压： 双极型晶体管，其集电极电流（ IC）与基极 -发射极电压（ VBE ）关系为 I C I S exp(VBE VT ) 其中， V kT q 。利用此公式推导得出 VBE 电压的温度系数为 T VBE VB