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材料制备技术 第十章 金属间化合物的制备 材料制备技术 2009-12-15 材料制备技术 2009-12-15 1. 特性 特性: 高温强度优异; 室温脆性大。 材料制备技术 2009-12-15 2. 含义 金属间化合物是指以金属元素或类金属元素为主要组成的二元系或多元系中出现的中间相和亚稳相化合物。 由于可以改变金属母体和混合比例,所以金属间化合物可以有无数的组合。 金属间化合物具有化学计量的组分。 二元系可表示为:AmBn 三元系可表示为:AmBnCp 一般认为,m、n、p为整数;但也可以是非整数;或者在一定范围内连续变化。 材料制备技术 2009-12-15 3. 金属间化合物的相 金属间化合物主要的相有:σ相和Laves相。 它们都属于拓扑密排相,由原子半径小的一种原子构成密堆层,其中镶嵌有原子半径大的一种原子,这是一种高度密堆的结构。 它们的形成除了原子尺寸因素起作用外,也受电子浓度因素的影响。 材料制备技术 2009-12-15 4. 分类 库尔纳柯夫(Kurnakov)型金属间化合物 在化学式规定成分两侧有个成分范围,在低于熔点的某一温度以上,该组成 原子的有序排列消失,从而组成原子在合金呈无序混合排列。 波色欧莱依德(Berthllide)型金属间化合物 在其化学式规定成分两侧有个成分范围 ,但是熔点以前或是相图上的反应分 解以前,其原子有序排列都是稳定的。 达尔丹乃德(Daltanide)型金属间化合物 其化学式规定成分的两侧不再有成分范围。 材料制备技术 2009-12-15 5. 晶体结构 分为以面心立方为基本结构和以体心立方为基本结构的两种晶体结构。 考察金属间化合物晶体结构的时候,重要的是先要注意其基本结构。 材料制备技术 2009-12-15 材料制备技术 2009-12-15 1. 熔炼法 把几种金属块或金属粉末按要求的成分比例配合,经熔炼后即可制得单相或多相金属间化合物。 采用熔炼法,必须根据根据所制备化合物的熔点、蒸汽压、及与气体 的反应,相应确定所用的电源,调整熔炼保护气氛等。 熔炼法采用的热源主要有电阻加热、高频感应加热、电子束熔炼、等 离子熔炼和红外线加热等。 材料制备技术 2009-12-15 (1)金属间化合物单晶的制备 ① 利用金属凝固时,固液相界面上有着较大的温度梯度,而且凝固是从一端开始恒速而缓慢地进行的方法。 ② 金属蒸气凝聚在基材上时, 按照晶体的取向通常择优生长,并由此而制得单晶。 ③ 加工变形的材料, 在某一温度以上加热会产生再结晶, 利用晶粒的长大而制备单晶。 材料制备技术 2009-12-15 (2)定向凝固 当二元或三元共晶合金沿某一方向连续凝固时,所形成的共晶相按照一定取向呈层状或纤维状排列。 定向凝固法和单晶制备法在本质上是相同的,区别在于:前者制得的是共晶合金,后者制得的是单相材料。 定向凝固的制品一般多为镍基或钴基高温合金。 材料制备技术 2009-12-15 材料制备技术 2009-12-15 (3)金属间化合物细丝的制备 不能用多次反复拔丝操作 制备金属间化合物细丝的 方法——将熔体直接制成 细丝,即熔融纺丝加工 法。 加工性能差 材料制备技术 2009-12-15 2. 扩散法 (1)扩散法制备超导化合物 (a)原位法; (b)复合加工法; (c)粉末法。 材料制备技术 2009-12-15 (2)扩散渗透法——把某种特定元素扩散渗透到金属或合金表面上,在基材金属表面形成了由渗透元素和基材金属所构成的金属间化合物层。 材料制备技术 2009-12-15 包埋处理——将含有渗涂元素的介质做成粉末状、糊状或熔盐状使用,在包埋剂或金属渗剂中进行的渗涂处理。 材料制备技术 2009-12-15 (3)机械合金化法(MA)——把欲合金化的元素粉末混合起来,在高能球磨机等设备中长时间运转,粉末经球磨的碰撞、挤压,重复地发生变形、断裂、焊合、原子间相互扩散而形成粉末,成为弥散分布的超细微粒子。在这一过程中,各组分的原子相互扩散,形成新的相结构,达到合金化的目的。 材料制备技术 2009-12-15 影响合金化的主要因素 (a)球磨种类、尺寸及球料比; (b)球磨气氛; (c)过程控制剂; (d)机械合金化装置; (e)球磨转速和装球量。 材料制备技术 2009-12-15 3. 气相沉积法 (1)化学气相沉积法(CVD)——将挥发性化合物的蒸汽或气体在加热的基材上热分解或热反应,而使所要的挥发化合物在基材沉积析出的方法。 H2O Ar TiO2 材料制备技术 2009-12-15 (2)物理气相沉积法(PVD)——利用加热或离子撞击等物理方法,使金属挥发或离子化,借以在基材上沉积出所要求的金属或化合物。 (a)图表
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