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HC 595芯片资料 特点 位串行输入 位串行或并行输出 存储状态寄存器，三种状态 输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率 输出能力 并行输出，总线驱动 串行输出；标准 中等规模集成电路应用 串行到并行的数据转换 Remote control holding register. 描述 595 是告诉的硅结构的 CMOS器件， 兼容低电压 TTL 电路，遵守 JEDEC标准。 595 是具有 8 位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。 移位寄存器和存储器是分别的时钟。 数据在 SCHcp的上升沿输入，在 STcp 的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。 移位寄存器有一个串行移位输入（ Ds），和一个串行输出 （Q?xml:namespace prefix = st1 /7 ’） , 和一个异步的低电平复位，存储 寄存器有一个并行 8 位的，具备三态的总线输出，当使能 OE时（为低电平）， 存储寄存器的数据输出到总线。 参考数据 符号 参数 条件 TYP 单位 HC HCt tPHL/tPLH 传输延时 SHcp到 Q7’ STcp到 Qn MR到 Q7’ CL=15pF Vcc=5V 16 17 14 21 20 19 Ns Ns Ns fmax STcp  到  SHcp 最大 速度  100 57 MHz CL  入 容  Notes 1 3.5  3.5 pF CPD Power dissipation capacitance per  package. Notes2 115 130 pF CPD决定 的能耗， PD＝CPD×VCC×f1+ ∑(CL×VCC2×f0) F1＝ 入 率， CL＝ 出 容 f0 ＝ 出 率（ MHz） Vcc= 源 引脚 明 符号 引脚 描述 Q0?Q7 15， 1 ， 7 并行数据 出 GND 8地 Q7’ 9 串行数据 出 MR 10 主复位（低 平） SHCP 11 移位寄存器 入 STCP 12 存 寄存器 入 OE 13 出有效（低 平） DS 14 串行数据 入 VCC 16 源 功能表 入 出 功能 SHCP STCP OE MR DS ’Q7Qn × × L ↓ × L NC MR 为低电平时紧紧影响移位寄存器 × ↑LL × L L 空移位寄存器到输出寄存器 × ×HL × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态 ↑ × L H H Q6 ’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态 0，包含所有的移位 寄存器状态移入，例如，以前的状态 6（内部 Q6”）出现在串行输出位。 × ↑LH × NC Qn’ 移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输出 ↑ ↑LH × Q6’ Qn’ 移位寄存器内容移入，先前的移位寄存器的内容 到达保持寄存器并输出。 H＝高电平状态 ＝低电平状态↑＝上升沿↓＝下降沿 Z＝高阻 NC＝无变化 ×＝无效 当 MR为高电平， OE为低电平时，数据在 SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。 /*************************************************************** ************************/ 给个 74HC595的 慢动作 void WriteSIOByte(unsigned char val) { unsigned char i; ACC = val; for (i = 8; i 0; i --) { SRCLK = 0;// 拉低 74HC595时钟 _rrca_();// 右移一位数据 SER = CY;// 发送 74HC595一位串行数据 SRCLK = 1;// 拉高 74HC595时钟 _nop_();// 延时 } SER = 1;// 释放数据总线 // 以下 3 条指令若在多字节时 , 应该移入多字节全发送完后在执行此 3 条指 令 RCLK = 0; _nop_();// 延时 RCLK = 1;// 打入并行数据 } 74ls595 速射 hotpower for(i = 0; i buffsize; i ++){ SBUF = siobuff; while(TI == 0); TI=0; } RCLK = 0; _nop_();// 延时 RCLK = 1;// 打入并行数据 /*************************************************************** *********/ 利用 74HC595实现多位 LED显示的新方法 摘 要：本文介绍了应用移位